[發(fā)明專利]IGBT驅(qū)動(dòng)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310590029.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-11-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104038193A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李君偉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安永電電氣有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H03K17/567 | 分類號(hào): | H03K17/567;H03K3/013 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 710016 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | igbt 驅(qū)動(dòng) 裝置 及其 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種IGBT驅(qū)動(dòng)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)
IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),具有高頻率、高電壓、大電流、尤其是容易開(kāi)通和關(guān)斷的性能特點(diǎn),是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命的最具代表性的產(chǎn)品,至今已經(jīng)發(fā)展到第六代,商業(yè)化已發(fā)展到第五代。目前,IGBT已廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各行業(yè)中。
目前,國(guó)內(nèi)對(duì)IGBT模塊的研究正處于起步階段,對(duì)于各中小研發(fā)技術(shù)單位來(lái)說(shuō)由于大功率測(cè)試設(shè)備的昂貴,限制了對(duì)IGBT基本性能的測(cè)試。在實(shí)驗(yàn)室以及簡(jiǎn)易的測(cè)試環(huán)境中,IGBT測(cè)試的最大制約因素是由于IGBT模塊測(cè)試中電壓和電流等級(jí)都比較大,因此在測(cè)試過(guò)程中IGBT柵極控制端及其容易受到高壓電源部分的干擾進(jìn)而引起柵極電壓振蕩。IGBT柵極振蕩很容易導(dǎo)致IGBT模塊失效,因此在測(cè)試過(guò)程中確保柵極信號(hào)不被大功率外界環(huán)境的影響已經(jīng)至關(guān)重要。
因此,針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題,有必要提供一種新的IGBT驅(qū)動(dòng)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種IGBT驅(qū)動(dòng)裝置及其驅(qū)動(dòng)方法,其能夠很好的去除大功率系統(tǒng)對(duì)信號(hào)的干擾。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案如下:
一種IGBT驅(qū)動(dòng)裝置,包括若干IGBT模塊及與所述IGBT模塊相連的信號(hào)電源,所述IGBT模塊包括柵極、發(fā)射極和集電極,所述信號(hào)電源與IGBT的柵極電性連接,所述IGBT模塊和信號(hào)電源之間還設(shè)有差分放大電路模塊。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述差分放大電路模塊包括單端輸入雙端輸出差分放大電路。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述差分放大電路模塊的輸出端與IGBT模塊的柵極電性連接。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述信號(hào)電源為脈沖信號(hào)電源。
相應(yīng)地,一種IGBT驅(qū)動(dòng)裝置的驅(qū)動(dòng)方法,所述驅(qū)動(dòng)方法包括:
S1、信號(hào)電源提供傳輸?shù)男盘?hào);
S2、差分放大電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理,抵消外界環(huán)境對(duì)信號(hào)的干擾;
S3、經(jīng)過(guò)處理的信號(hào)通過(guò)IGBT模塊的柵極完成傳輸。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S1中的信號(hào)為脈沖信號(hào)。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟S2中“差分放大電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行處理”包括放大差模信號(hào)和抑制共模信號(hào)。
本發(fā)明具有以下有益效果:
通過(guò)在信號(hào)電源和IGBT模塊之間引入差分放大電路,IGBT模塊可以有效的確保柵極信號(hào)準(zhǔn)確;
對(duì)于大功率的IGBT模塊,能夠很好的去除大功率系統(tǒng)對(duì)脈沖信號(hào)的干擾,可以減少實(shí)驗(yàn)人員對(duì)功率系統(tǒng)的干擾保護(hù)措施。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式IGBT驅(qū)動(dòng)裝置的模塊示意圖;
圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式IGBT驅(qū)動(dòng)裝置中差分放大電路的電路結(jié)構(gòu)圖;
圖3a為現(xiàn)有技術(shù)中IGBT驅(qū)動(dòng)裝置的信號(hào)示波器圖譜;圖3b為本發(fā)明中IGBT驅(qū)動(dòng)裝置的信號(hào)示波器圖譜。
具體實(shí)施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明公開(kāi)了一種IGBT驅(qū)動(dòng)裝置,包括若干IGBT模塊及與IGBT模塊相連的信號(hào)電源,IGBT模塊包括柵極、發(fā)射極和集電極,信號(hào)電源與IGBT的柵極電性連接,IGBT模塊和信號(hào)電源之間還設(shè)有差分放大電路模塊。
優(yōu)選地,差分放大電路模塊包括單端輸入雙端輸出差分放大電路。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安永電電氣有限責(zé)任公司,未經(jīng)西安永電電氣有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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