[發明專利]一種防過熱漏電保護斷路器無效
| 申請號: | 201310589549.4 | 申請日: | 2013-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN103606885A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 周泰武;李文禮;彭應光;萬文華 | 申請(專利權)人: | 桂林機床電器有限公司 |
| 主分類號: | H02H3/28 | 分類號: | H02H3/28;H02H5/04 |
| 代理公司: | 北京輕創知識產權代理有限公司 11212 | 代理人: | 陳月福 |
| 地址: | 541002 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 過熱 漏電 保護 斷路器 | ||
1.一種防過熱漏電保護斷路器,包括防過熱保護電路和漏電保護電路,其特征在于,所述防過熱保護電路分別連接內部的電壓U和漏電保護電路,在溫度過高時保護后續電路,所述漏電保護電路檢測電壓的同時驅動漏電保護斷路器動作從而斷開被保護電路的電源,實現漏電保護功能。
2.根據權利要求1所述一種防過熱漏電保護斷路器,其特征在于,所述防過熱保護電路包括NMOS管、電阻R1和三極管Q2,所述NMOS管的Q1的源極連接電壓U的正極,NMOS管Q1的柵極連接電阻R1的一端和基準電源VGND,電阻R1的另一端連接三極管Q2的集電極,所述三極管Q2的發射極連接電壓U的負極,三極管Q2的基極連接基準電源VGND,當NMOS管在溫度適當的情況下,源極和漏極之間為導通狀態,當溫度過高時,三極管Q2的基極和發射極之間的電降低,使得三極管Q2導通,從而拉低NMOS管Q1的柵極電平,使得NMOS管Q1關閉,即斷開了端口和可變電阻RP1之間的連接。
3.根據權利要求1或2任一所述一種防過熱漏電保護斷路器,其特征在于,所述漏電保護電路包括NMOS管、三極管Q1、電阻R1、R2、R3、R4、R5、電容C1、C2、C3、C4、穩壓管ZD1、ZD2、整流二極管D1、D2、可調電阻RP1、電壓檢測器IC1、磁線圈L、電壓檢測器IC1、可控硅SCR,所述電容C1的一端連接NMOS管Q1的漏極,另一端連接電壓U的負極,所述穩壓二極管ZD1、ZD2串聯后并聯至電容C1兩端,從而保護后續電路的使用,所述電阻R2和可調電阻RP1串聯后并聯至C1電容兩端,從而實現調節漏電電流值的功能,所述電容C2的一端連接NMOS管的漏極,另一端分別連接二極管D1的負極和D2的正極,所述二極管D1的正極連接電壓U的負極,所述二極管D2的負極分別連接有極性的電容C3的正極和磁線圈L的一端,所述電容C3的負極連接電壓U的負極,所述磁線圈L的另一端連接可控硅SCR的陽極,所述可控硅SCR的陰極連接電壓U的負極,控制極連接電阻R5的一端,所述電阻R5的另一端連接電壓檢測器IC1的輸出端,所述電壓檢測器IC1的兩個輸入端并聯電容C4后分別連接至電阻R4的兩端,所述電阻R4的一端連接電壓U的負極,另一端連接電阻R3的一端,所述電阻R3的另一端連接電容C3的正極,通過電容C2、二極管D1和D2組成的電路對電壓U升壓后,對電容C3進行充電,同是電阻R4的兩端即電壓檢測器IC1的輸入端之間出現電位差,當電阻R4兩端電位差達到電壓檢測器IC1的檢測電壓時,電壓檢測器IC1輸出一個信號并經過電阻R4后輸入到可控硅SCR的觸發極,觸發可控硅SCR導通,使電容C3和磁線圈L形成放電回路,驅動與磁線圈L匹配的脫扣動作,即驅動漏電保護斷路器動作而斷開被保護電路的電源,從而實現漏電保護功能。
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