[發明專利]超薄石英基片上光刻刻蝕薄膜電路圖形的方法

有效

• 申請號: 201310589287.1
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN103633004A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 曹乾濤;路波;王斌;宋振國;胡瑩璐;孫建華;龍江華;鄧建欽
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/48
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 龔燮英

1.一種用于超薄石英基片上光刻刻蝕薄膜電路圖形的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟101：將超薄石英基片雙面拋光并將其設置形成金屬薄膜，設置承載基片的至少一面為拋光面；

步驟102：將超薄石英基片的金屬薄膜表面朝上，超薄石英基片的另一面與承載基片的拋光面通過光刻膠粘接形成一臨時鍵合體；

步驟103：經過涂覆光刻膠、前烘、曝光、顯影和后烘后，在超薄石英基片的金屬薄膜上形成抗蝕劑圖形；

步驟104：將抗蝕劑圖形通過濕法刻蝕或干法刻蝕后傳遞到金屬薄膜上；

步驟105：去除光刻膠，并將臨時鍵合體分離，得到一形成薄膜電路圖形的超薄石英基片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟101中，所述超薄石英基片形狀為圓形、長方形、正方形或不規則形狀，厚度為30μm-50μm，平面尺寸為10mm×10mm-76mm×76mm。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟101中，所述設置形成金屬薄膜的超薄石英基片表面為單面或雙面；雙面金屬薄膜材料設置相同或不同。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟101中，所述承載基片形狀為圓形、長方形、正方形或不規則形狀，平面尺寸大于或等于超薄石英基片尺寸，厚度為0.254mm-0.65mm，材料為純度99.6%-100%的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍寶石基片或石英基片。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟102中，所述形成一臨時鍵合體的方法為：在承載基片上涂覆一層光刻膠濕膜，將石英基片薄膜金屬化表面朝上通過真空筆吸附迅速放置在所述承載基片的光刻膠濕膜上，然后在80-90℃溫度下干燥10分鐘或110℃溫度下干燥5分鐘。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟102和103中，所述光刻膠為紫外敏感正性光刻膠，所述涂覆光刻膠方法為旋轉涂覆法或噴霧式涂布法。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟104中，所述濕法刻蝕為采用濕法腐蝕工藝將光刻膠圖形轉移至超薄石英基片待光刻和刻蝕的金屬薄膜上，金屬薄膜種類及層數根據器件性能要求決定；腐蝕液選擇對應腐蝕金屬薄膜材料，設置每一種金屬腐蝕液只能腐蝕對應金屬，而對于抗蝕劑及其它金屬膜層不發生反應。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟105中，所述去除光刻膠并將臨時鍵合體分離的方法為：先使用丙酮在室溫下超聲波處理10分鐘，將抗蝕劑圖形去除干凈，并將承載基片和形成薄膜電路圖形的超薄石英基片分離，然后將形成薄膜電路圖形的超薄石英基片用去離子水清洗干凈，干燥。