[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310589226.5 | 申請日: | 2013-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN104659255A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于有機電致發光領域,具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
有機電致發光器件(OLED)是一種以有機材料為發光材料,能把施加的電能轉化為光能的能量轉化裝置。它具有超輕薄、自發光、響應快、低功耗等突出性能,在顯示、照明等領域有著極為廣泛的應用前景。
有機電致發光器件的結構為三明治結構,在陰極和導電陽極之間夾有一層或多層有機薄膜。在含多層結構的器件中,兩極內側主要包括發光層、注入層及傳輸層。有機電致發光器件是載流子注入型發光器件,在陽極和陰極加上工作電壓后,空穴從陽極,電子從陰極分別注入到工作器件的有機材料層中,兩種載流子在有機發光材料中復合形成空穴-電子對發光,然后光從電極發出。
在傳統的發光器件中,電子傳輸速率比空穴傳輸速率低,使得激子復合幾率偏低,并且復合的區域不在發光區域內,因此發光效率較低。
發明內容
為了解決上述問題,本發明通過對電子注入層進行優化,從而提高電子傳輸速率,提供一種具有較高出光效率的有機電致發光器件。本發明還提供了一種有機電致發光器件的制備方法。
第一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述電子注入層包括依次層疊的二氧化鈦層、三元摻雜層和空穴層,其中:
所述二氧化鈦層的材質為二氧化鈦;
所述三元摻雜層的材質為銫鹽、功函數為-4.0~-5.5eV的金屬與雙極性有機傳輸材料按照質量比0.1:0.5:1~0.5:1:1混合形成的混合物;
所述空穴層的材質為2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(1T-NATA)或二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺(2T-NATA)。
本發明采用的二氧化鈦為普通市售二氧化鈦,比表面積大,孔隙率高,可使光發生散射,使向兩側發射的光可以回到中間,提高出光效率。
優選地,二氧化鈦的粒徑為20~50nm。
優選地,二氧化鈦層的厚度為50~90nm。
三元摻雜層由銫鹽、高功函數金屬(功函數為-4.0~-5.5eV)以及雙極性有機傳輸材料組成,雙極性有機傳輸材料可提高電子傳輸速率,銫鹽與雙極性有機傳輸材料可形成n摻雜,可進一步提高電子傳輸速率。高功函數金屬可提高器件的導電性,提高膜層穩定性,并可對光產生反射,使光往底部出射,提高出光效率。
銫鹽、功函數為-4.0~-5.5eV的金屬與雙極性有機傳輸材料按照質量比0.1:0.5:1~0.5:1:1混合。即銫鹽與雙極性有機傳輸材料的質量比為0.1~0.5:1,且金屬與雙極性有機傳輸材料的質量比為0.5~1:1。
優選地,銫鹽為氟化銫、氯化銫、碳酸銫或疊氮銫。
優選地,功函數為-4.0~-5.5eV的金屬為銀、鋁、鉑或金。
優選地,雙極性有機傳輸材料為2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪(TRZ4)、2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2,6Dczppy)、3′,3″-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)或2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑(CzOXD)。
優選地,三元摻雜層的厚度為30~80nm。
空穴層的材質為本領域常用的空穴注入材料,HOMO能級很低,可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發生復合而發生淬滅,有利于提高器件的發光效率。
優選地,空穴層的厚度為10~60nm。
玻璃基底為普通市售玻璃。
優選地,陽極的材質為透明導電薄膜,選自銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO)。更優選地,陽極的材質為ITO。
優選地,陽極的厚度為50~300nm。更優選地,陽極的厚度為105nm。
優選地,空穴注入層的材質為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。更優選地,空穴注入層的材質為MoO3。
優選地,空穴注入層的厚度為20~80nm。更優選地,空穴注入層的厚度為50nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





