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[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審

專利信息
申請號: 201310589065.X 申請日: 2013-11-20
公開(公告)號: CN104659225A 公開(公告)日: 2015-05-27
發明(設計)人: 周明杰;黃輝;張振華;王平 申請(專利權)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分類號: H01L51/50 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202 代理人: 郝傳鑫;熊永強
地址: 518000 廣東省深*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發明屬于有機電致發光領域,具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件(OLED)是一種以有機材料為發光材料,能把施加的電能轉化為光能的能量轉化裝置。它具有超輕薄、自發光、響應快、低功耗等突出性能,在顯示、照明等領域有著極為廣泛的應用前景。

有機電致發光器件的結構為三明治結構,在陰極和導電陽極之間夾有一層或多層有機薄膜。在含多層結構的器件中,兩極內側主要包括發光層、注入層及傳輸層。有機電致發光器件是載流子注入型發光器件,在陽極和陰極加上工作電壓后,空穴從陽極,電子從陰極分別注入到工作器件的有機材料層中,兩種載流子在有機發光材料中復合形成空穴-電子對發光,然后光從電極發出。

在傳統的發光器件中,電子傳輸速率比空穴傳輸速率低,使得激子復合幾率偏低,并且復合的區域不在發光區域內,因此發光效率較低。

發明內容

為了解決上述問題,本發明通過對電子注入層進行優化,從而提高電子傳輸速率,提供一種具有較高出光效率的有機電致發光器件。本發明還提供了一種有機電致發光器件的制備方法。

第一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述電子注入層的材質為鈉鹽、第一有機材料與第二有機材料按照質量比1:10:0.1~3:5:0.1混合形成的混合物;其中,

所述鈉鹽選自氯化鈉、氟化鈉、碳酸鈉和硫化鈉中的一種;

所述第一有機材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪(TRZ4)、2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶(2,6Dczppy)、3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)(p-TPAm-NTAZ)和2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑(CzOXD)中的一種;

所述第二有機材料選自2,3,5,6-四氟-7,7,8,8,-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4,4,4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(1T-NATA)和二萘基-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺(2T-NATA)中的一種。

本發明電子注入層的材質選用的鈉鹽熔點較低,極易蒸鍍,成膜性好,而且功函數較高,與電子傳輸材料的LUMO能級比較接近,可降低電子傳輸層與金屬陰極之間的電子的注入勢壘,提高電子注入能力。

第一有機材料是雙極性有機傳輸材料,具有傳輸空穴與傳輸電子的作用,可提高電子的傳輸速率同時降低與相鄰層之間的電子注入勢壘,提高電子注入效率。由于具有較低的HOMO能級,因此可阻止空穴穿越到陰極而造成空穴淬滅。第二有機材料是空穴注入材料,HOMO能級很低,可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發生復合而發生淬滅,利于提高器件的發光效率。

鈉鹽、第一有機材料與第二有機材料按照質量比1:10:0.1~3:5:0.1混合。即鈉鹽與第二有機材料的質量比為1~3:0.1,且第一有機材料與第二有機材料的質量比為5~10:0.1。

優選地,電子注入層的厚度為20~50nm。

玻璃基底為普通市售玻璃。

優選地,陽極的材質為透明導電薄膜,選自銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(IZO)。更優選地,陽極的材質為ITO。

優選地,陽極的厚度為50~300nm。更優選地,陽極的厚度為105nm。

優選地,空穴注入層的材質為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)。更優選地,空穴注入層的材質為MoO3

優選地,空穴注入層的厚度為20~80nm。更優選地,空穴注入層的厚度為48nm。

優選地,空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(NPB)。更優選地,空穴傳輸層的材質為TCTA。

優選地,空穴傳輸層的厚度為20~60nm。更優選地,空穴傳輸層的厚度為52nm。

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