[發明專利]一種非晶/納米晶冷卻輥的修復復合層及制備方法有效
| 申請號: | 201310588591.4 | 申請日: | 2013-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN103895280A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發明(設計)人: | 任翠霞;李曉雨;宋安康 | 申請(專利權)人: | 青島云路新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | B32B15/01 | 分類號: | B32B15/01;C22C9/00;C22C19/03;C23C24/10;C25D15/00;C23F17/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 冷卻 修復 復合 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于材料科學技術領域,具體涉及一種非晶/納米晶冷卻輥的修復復合層及制備方法。
技術背景
非晶/納米晶合金是由超急冷凝固,合金凝固時原子來不及有序排列結晶,得到的固態合金是長程無序結構,沒有晶態合金的晶粒、晶界存在。現在的非晶/納米晶生產技術是將1300℃的合金鋼水澆到高速旋轉的通水冷卻的同輥上,瞬間冷卻到200℃以下,形成非晶/納米晶。
?非晶/納米晶冷卻輥是生產非晶/納米晶合金帶材的關鍵設備,主要由導熱性非常好的銅或銅合金做內襯,外面套有夾套通水冷卻,使高溫鋼液瞬間冷卻形成非晶/納米晶薄帶,非晶/納米晶冷卻輥質量好壞對非晶/納米晶帶材的生產和鑄坯質量都有很大的影響。因此對非晶/納米晶冷卻輥進行修復,提高其耐磨性和耐熱性,延長其使用壽命,對提高帶材成型率,以及提高企業的技術經濟效率具有十分重要的意義。在銅合金表面進行表面修復的方法有很多種,常見的有電鍍和化學鍍。但是電鍍層厚度較薄(一般小于0.3mm),與基體形成結合力差的化學性結合;等離子噴涂層孔隙率高,與銅基體之間呈機械性結合,服役一段時間后易剝落。隨著激光技術的廣泛應用,非晶/納米晶冷卻輥表面涂層也可以采用激光熔覆技術制備,但是需要解決激光熔覆層出現的裂紋問題,而且直接在冷卻輥上進行激光熔覆,冷卻輥對激光束能量的吸收率低。
?中國發明專利申請CN?1932082?A公開了一種《在結晶器表面快速熔覆制備耐磨抗熱復合涂層工藝》,其工藝過程為A、結晶器銅板表面預處理;B、等離子噴涂預沉積打底合金;C、高功率激光器快速熔覆打底合金;D、高功率激光器寬帶熔覆鈷基合金;E、后續熱處理。該專利選取與鎳基自熔合金粉末(Ni-Cu-Si-B)作為打底層,在高功率低階模起弧條件下進行激光快速熔覆,后期與銅板形成牢固的冶金結合,實現和機體材料良性的韌性;然后采用Co基合金,在結晶器銅板上進行送粉法激光寬帶熔覆處理,形成均勻致密的優良抗熱耐磨復合涂層。
?但是上述冷卻輥的修復方法,存在下述缺陷:1、需要先等離子噴涂打底,再采用5KW?CO2激光器重熔,然后進行激光熔覆,工藝復雜,且等離子噴涂和高功率CO2激光器設備體積龐大,價格昂貴;2、雖然采用鎳基合金粉末打底與Co基合金結合,解決了激光熔覆層裂紋的問題,但是由于在激光熔覆前對鎳基合金層進行了重熔,是Co基合金的激光熔覆效率較低,冷卻輥對激光束能量的吸收率低。
發明內容
????為解決上述問題,本發明的目的在于提供一種非晶/納米晶冷卻輥的修復復合層,并提供該復合層的制備方法,使制得的復合涂層均勻致密、耐磨性和耐熱性優異,并且具有熔覆效率高、冷卻輥對激光束能量吸收率高的特點。
??本發明的技術方案為:一種非晶/納米晶冷卻輥的修復復合層,該復合層由兩層構成,連接基材的為銅基合金層,其按重量百分比計算其成分為:Ni?7~9%,Sn?8~12%,Co?5~15%,Si?0.8~2%,余量為Cu;另外一層為鎳基合金層,其選自Ni-Co合金、Ni-P合金、Ni-Fe合金、Ni-Cr合金中的一種,其中Ni在合金中的重量含量為60-75%。
優化的,銅基合金層與鎳基合金層的厚度比為1:1-2。
優化的,鎳基合金層的粉末為球形或者橢球形,其粒度為109-250μm。
本發明提供的非晶/納米晶冷卻輥的修復復合層的制備方法,由以下步驟組成,
步驟一,冷卻輥表面預處理
去除非晶/納米晶冷卻輥表面氧化層并清洗缺陷部位;
步驟二,電鍍銅基合金層
在非晶/納米晶冷卻輥表面電鍍銅基合金粉末,所述銅基合金粉末按重量百分比計算其成分為:Ni?7~9%,Sn?8~12%,Co?5~15%,Si?0.8~2%,余量為Cu;
步驟三,高功率激光器寬帶熔覆鎳基合金層
采取同步送粉方式喂入合金粉末,采用寬帶熔覆方法在電鍍銅基打底層上,熔覆鎳基合金,所述鎳基合金選自Ni-Co合金、Ni-P合金、Ni-Fe合金、Ni-Cr合金中的一種,其中Ni在合金中的重量含量為60-75%。
優化的,步驟二中電鍍采用臥式電鍍槽,鍍液溫度為40-50℃,電流密度為30-35mA/cm2,鍍液采用空氣攪拌。
優化的,步驟三中熔覆參數為:
熔覆功率P為3000-8000W
光斑直徑為2-6mm
熔覆掃描速度V為5-8m/min
搭接率為40%-60%。
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