[發(fā)明專利]常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310588125.6 | 申請日: | 2013-11-21 | 
| 公開(公告)號: | CN103628041A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張海林;滕玉朋;崔慧敏;王曉明 | 申請(專利權(quán))人: | 青島賽瑞達電子科技有限公司 | 
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/54 | 
| 代理公司: | 山東清泰律師事務(wù)所 37222 | 代理人: | 寧燕 | 
| 地址: | 266100 山東省青島市高*** | 國省代碼: | 山東;37 | 
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 | 
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 常壓 cvd 薄膜 連續(xù) 生長 | ||
1.一種常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:包括工作腔體、多段加熱器、冷卻器、輸送機構(gòu)、氣柜、氣體彌散腔、機架;其中工作腔體固定在機架上,前后端設(shè)有開口;工作腔體中前部外表面安裝多段加熱器,中后部外表面安裝冷卻器;輸送機構(gòu)位于工作腔體底部并從兩端開口沿軸向貫穿整個腔體;氣體彌散腔安裝在腔體內(nèi)前部加熱段,為一個封閉殼體,其頂部設(shè)有進氣管,底面上均勻分布若干小通孔;所述工作腔體兩端及加熱段與冷卻段之間設(shè)有風(fēng)簾盒,工作腔體兩端還設(shè)有排氣管,所述風(fēng)簾盒與工作腔體連接,為表面分布有若干小通孔的密閉殼體;氣柜上設(shè)有流量計,通過管路與氣體彌散腔及風(fēng)簾盒分別連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述冷卻器為密閉腔體,兩端分別設(shè)有進水口與出水口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述輸送機構(gòu)包括驅(qū)動電機、鏈輪及鏈條傳動機構(gòu)、主動滾筒、輸送鏈帶、從動滾筒、漲緊滾筒,其中電機與鏈輪鏈條傳動機構(gòu)與主動滾筒連接,主動滾筒與從動滾筒之間通過輸送鏈帶進行連接,主動滾筒與從動滾筒之間還設(shè)置漲緊滾筒,漲緊滾筒與主動滾筒及從動滾筒之間也通過輸送鏈帶連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述風(fēng)簾盒緊貼工作腔體上表面與之固定,二者接觸面上風(fēng)簾盒及工作腔體相對應(yīng)設(shè)有若干小孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述風(fēng)簾盒為沿工作腔體內(nèi)壁周向分布的密閉腔體。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述多段加熱器是圍繞工作腔體的掛板式加熱板或方筒式電阻絲或為開合式上、下兩半U型加熱器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述工作腔體是整體型或分體型。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述氣體彌散腔為一個通長的大腔室或通過擋板分割成獨立小腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述排氣管上設(shè)置燃燒自動點火器。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述常壓CVD薄膜連續(xù)生長爐,其特征在于:所述輸送機構(gòu)中的輸送鏈帶是全寬度鏈帶或是同步驅(qū)動的多組鏈條。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青島賽瑞達電子科技有限公司,未經(jīng)青島賽瑞達電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310588125.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:發(fā)光器件
- 下一篇:一種墻漆混合勻料裝置
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





