[發(fā)明專利]一種用于微機(jī)電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310588119.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN103575216A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊須葉;陳博;黃斌;呂東鋒;何凱旋;郭群英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華東光電集成器件研究所
• 主分類號(hào): G01B11/00
• 分類號(hào): G01B11/00
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標(biāo)事務(wù)所 34113
• 代理人: 楊晉弘

1.一種用于微機(jī)電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟:

a)對(duì)硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面進(jìn)行清洗去除硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面的污物，然后將硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面進(jìn)行改性處理；

b)混合聚二甲基硅氧烷的基質(zhì)與固化劑，配置聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)；

c)將配置好的聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)倒入硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)，讓聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)在硅深腔構(gòu)件(1)頂部自流平，填滿硅深腔構(gòu)件(1)；之后將填充有聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)的硅深腔構(gòu)件(1)放入真空室中進(jìn)行脫氣處理，讓硅深腔構(gòu)件內(nèi)(1)的氣體充分釋放，使聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)與硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面緊密接觸；

d)將硅深腔構(gòu)件(1)放入熱板內(nèi)烘烤，讓聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)成型；

e)將成型后的聚二甲基硅氧烷鑄模材料(2)從硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)脫出，得到凸起的具有硅深腔構(gòu)件內(nèi)表面形貌的聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3)；

f)使用顯微成像裝置對(duì)聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3)的外部形貌參數(shù)進(jìn)行檢測；

g)對(duì)檢測后得到的聚二甲基硅氧烷鑄模模型(3)的外部形貌參數(shù)進(jìn)行反推運(yùn)算，即得到硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面的形貌參數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于微機(jī)電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法，其特征在于，使用體積比為3:1的濃硫酸與雙氧水的混合溶液對(duì)硅深腔構(gòu)件(1)內(nèi)表面進(jìn)行清洗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于微機(jī)電構(gòu)件硅深腔的無損檢測方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷的基質(zhì)與固化劑的質(zhì)量比為10:1。