[發明專利]一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法

有效

• 申請號: 201310587702.X
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN103588208A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 蔣寧雄;盛之林;梁慶;侯寶鋒;蔣學萍;楊永浩;吳佳楠
• 申請（專利權）人: 寧夏寧電光伏材料有限公司
• 主分類號: C01B33/037
• 分類號: C01B33/037
• 代理公司: 寧夏專利服務中心 64100
• 代理人: 古玲玉

1.?一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法，其特征在于：該方法為首先對硅塊原料進行酸洗、水洗，然后在高溫電阻爐內進行高溫增氧預處理，將處理后的硅料裝入三槍電子束爐內進行熔煉，熔煉結束，待硅錠降溫至室溫，取出硅錠，去掉表皮和底端層，用硬質合金錘輕敲掉鑄錠上端芯部金屬雜質富集的疏松層，即得太陽能級多晶硅。

2.?如權利要求1所述的一種電子束爐熔煉多晶硅去除硼及金屬雜質的方法，其特征在于：所述電子束爐的硅原料，在酸洗和水洗結束后，在高溫電阻爐內加熱到600~900℃，高溫保溫1~4小時后，自然降溫到室溫。

3.?如權利要求1所述的一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法，其特征在于：所述電子束爐裝料后，開爐抽真空，爐室真空度達到2×10-3Pa-1×10-4Pa，槍室真空度達到7×10-3Pa-1×10-4Pa，開始熔煉，熔煉過程中，爐室真空度保持在10-3Pa級，槍室真空度保持在10-4Pa級。

4.?如權利要求1所述的一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法，其特征在于：所述將熔煉坩堝中的硅液導入大鑄錠坩堝后，控制鑄錠坩堝內硅液表面電子束的掃描方式為圓形掃描，控制電子束離坩堝5~10cm，使得硅液在鑄錠坩堝中一方面繼續熔煉，同時定向凝固。

5.?如權利要求1所述的一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法，其特征在于：所述電子束爐熔煉硅錠在出爐后，切掉錐臺形硅錠底端100~150mm部分和30~50mm上表皮部分，然后用硬質合金錘向下輕敲掉芯部的雜質含量高的疏松部分，頂端芯部向下去除雜質的深度為30~50mm，直徑100~200mm。

6.?如權利要求1所述的一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質的方法，其特征在于：所述三槍電子束爐內配有熔煉坩堝和鑄錠坩堝。