[發明專利]一種用于電腦的限流保護調節電路無效
| 申請號: | 201310587407.4 | 申請日: | 2013-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN103745168A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 黃友華 | 申請(專利權)人: | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F21/70 | 分類號: | G06F21/70;G05F1/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 電腦 限流 保護 調節 電路 | ||
技術領域
本發明涉及電腦保護領域,更具體的說是涉及一種用于電腦的限流保護調節電路。
背景技術
電腦被廣泛應用到各個方面,譬如視頻會議、遠程監控、辦公作業等。其作為受電設備,其開關電源開始工作時,由于旁路微法級電容的接入,會產生浪涌電流,無限制的大電流將導致端口電壓迅速下降,嚴重時會使電腦關斷,使得電腦在接通和關斷之間不斷的切換,影響工作的穩定性。為了保證上電過程對充電電容的穩定充電和啟動電路的穩定上升,大多采用電路限制電路的結構對輸出功率管并聯一個小的采樣管,且源極接一個低阻值的負載電阻來完成電流采樣,由于并聯功率管柵源電壓未完全相等,使得采樣電流的精度不高,限流不穩定。
發明內容
本發明提供一種用于電腦的限流保護調節電路,其連接在電腦的開關電源上,其對電流的采樣精度高,限流穩定,有效的對電腦進行保護。
為解決上述的技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種用于電腦的限流保護調節電路,它包括第一端口和第二端口,所述的第一端口通過電阻R1連接在場效應管M1的漏極上,所述的第一端口還連接在場效應管M2的漏極上,所述的第二端口通過電阻R2同時與場效應管M1的柵極和三極管的集電極相連,所述的第二端口連接在場效應管M2的柵極上,所述的場效應管M1的源極接地,所述的場效應管M2的源極連接在三極管的發射極上,所述的三極管的基極通過電阻R3連接在集電極上,所述的三極管的發射極通過電阻R4與地連接,所述的場效應管M1和場效應管M2均為P型場效應管,所述的三極管為NPN型三極管。
更進一步的技術方案是:
作為優選,所述的電阻R1、電阻R2和電阻R4均為多晶硅電阻。
進一步的,所述的電阻R1的阻值與電阻R2的阻值相等。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:
本發明包括輸出功率管、采樣功率管和柵源比例電阻,場效應管M1和場效應管M2的柵源電壓完全相等,對電流的采樣精度高,限流穩定,有效的對電腦進行保護。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。
圖1為本發明的電路原理圖。
圖中的標號為:1、第一端口;2、第二端口。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。本發明的實施方式包括但不限于下列實施例。
[實施例]
如圖1所示的一種用于電腦的限流保護調節電路,它包括第一端口1和第二端口2,所述的第一端口1通過電阻R1連接在場效應管M1的漏極上,所述的第一端口1還連接在場效應管M2的漏極上,所述的第二端口通過電阻R2同時與場效應管M1的柵極和三極管的集電極相連,所述的第二端口2連接在場效應管M2的柵極上,所述的場效應管M1的源極接地,所述的場效應管M2的源極連接在三極管的發射極上,所述的三極管的基極通過電阻R3連接在集電極上,所述的三極管的發射極通過電阻R4與地連接,所述的場效應管M1和場效應管M2均為P型場效應管,所述的三極管為NPN型三極管。
本發明在使用時連接在電腦的電源開關上。本發明中,場效應管M1為采用功率管,場效應管M2為輸出功率管,場效應管M1和場效應管M2組成共柵共源電路,其作為三極管的有源負載。電阻R3為三極管提供導通壓降,電阻R1和電阻R2起分壓作用,使場效應管M1相較于場效應管M2有合理的電壓差。采樣電流經電阻R4轉換為采用電壓,調節三極管集電極電壓,即可調節輸出功率管的柵極電壓達到控制輸出電流大小的目的。比例電阻R4的電流會隨著輸出功率管柵極電壓的變化而變化,保證場效應管M1柵源電壓和場效應管M2柵源電壓一致,限流穩定,從而達到精確采用電流的目的,使得該電路對電流的采用精度得到提高。
為了提高對電路的采用精度,所述的電阻R1、電阻R2和電阻R4均為多晶硅電阻。電阻R1、電阻R2和電阻R4均為多晶硅電阻,可增強其匹配性,使得精度高。
為了提高對電路的采用精度,所述的電阻R1的阻值與電阻R2的阻值相等。電阻R1和電阻R2起分壓作用,使場效應管M1相較于場效應管M2有合理的電壓差,電阻R1的阻值與電阻R2的阻值相等,使得電壓差相等,即可使電流采樣精度得到提高。
如上所述即為本發明的實施例。本發明不局限于上述實施方式,任何人應該得知在本發明的啟示下做出的結構變化,凡是與本發明具有相同或相近的技術方案,均落入本發明的保護范圍之內。
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