[發明專利]一種室溫氫氣傳感器的制備方法

有效

• 申請號: 201310587206.4
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN103558261A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 王太宏;劉彬;蔡道平;王妍蓉;劉源;李寒;王丹丹;王玲玲
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 劉勇

1.一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）對金屬氧化物進行退火處理；

2）將氯化物、聚乙烯吡咯烷酮、NaI·2H₂O和去離子水同時加入盛有二甲基甲酰胺的燒杯中，所述氯化物為氯化鈀或氯化鉑，得到棕黑色溶液，將棕黑色溶液轉移至反應釜中，然后將步驟1)中退火處理后的金屬氧化物加入到反應釜中并進行超聲分散，分散完全后將反應釜密封并在設定的生長溫度下放置，反應完畢冷卻至室溫后，將所得產物離心并用無水乙醇洗滌，最后將產物分散在溶劑中，得到在表面沉積有鈀或鉑納米顆粒的金屬氧化物室溫氫氣敏感材料；

3）將步驟2）得到的金屬氧化物室溫氫氣敏感材料超聲分散到無水乙醇中，然后將分散后的懸濁液滴在清潔過的金叉指電極上，待乙醇揮發完全后得到氣敏芯片，然后將氣敏芯片與外圍電路連接，得到室溫氫氣傳感器。

2.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述金屬氧化物為粒度在100～1000nm的二氧化錫、三氧化鎢或氧化銦。

3.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述退火處理的溫度為400～600℃，退火處理的時間為2h。

4.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述氯化物、聚乙烯吡咯烷酮、NaI·2H₂O、去離子水、二甲基甲酰胺的質量比為1∶（10～20）∶（20～30）∶（100～200）∶（500～1000）。

5.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，反應物在反應釜中的填充比為40%～60%。

6.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述設定的生長溫度為120～160℃。

7.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述放置的時間為6～10h。

8.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述溶劑選用易揮發的有機溶劑。

9.如權利要求8所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于所述易揮發的有機溶劑選自無水乙醇或環己烷。

10.如權利要求1所述一種室溫氫氣傳感器的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述表面沉積有鈀或鉑納米顆粒的金屬氧化物室溫氫氣敏感材料中，按質量百分比，鈀或鉑的含量為1%～15%。