[發明專利]一種制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法無效
| 申請號： | 201310587155.5 | 申請日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN103579424A | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發明（設計）人： | 黃亞軍;樊中朝;王莉;季安 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 反射率 藍寶石 圖形 襯底 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，包括：
步驟1：在藍寶石襯底上生長掩膜材料；
步驟2：對掩膜材料進行光刻，得到具有周期尺寸圖形的掩膜；
步驟3：濕法腐蝕藍寶石襯底得到一定深度的凹坑；
步驟4：干法刻蝕藍寶石襯底，直至掩膜退縮完全；
步驟5：表面清洗。
2.根據權利要求1所述的制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，步驟1中所述的掩膜材料為二氧化硅、氮化硅或光刻膠。
3.根據權利要求1所述的制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，步驟2中所述的光刻采用步進式光刻機和刻蝕機完成，通過步進式光刻機制備周期圖形，并刻蝕掩膜材料得到具有周期尺寸圖形的掩膜。
4.根據權利要求1所述的制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，步驟3中所述的濕法腐蝕是采用濃硫酸并加熱到280℃進行濕法腐蝕。
5.根據權利要求1所述的制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，步驟4中所述的干法刻蝕藍寶石襯底是使用干法刻蝕技術，以濕法腐蝕后的掩膜為掩膜來刻蝕藍寶石襯底，刻蝕氣體使用BCl3或者C12。
6.根據權利要求1所述的制備低反射率藍寶石圖形襯底的方法，其特征在于，步驟5中所述的表面清洗為使用硫酸雙氧水進行表面清洗。
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