[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310586152.X
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104659275A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

傳統的有機電致發光器件的電子注入層一般采用氟化鋰，但是由于氟化鋰熔點過高，蒸鍍時必須采用較大電流來蒸鍍，而有機蒸鍍室的蒸鍍室溫度過高，會使其他有機功能層受到破壞，并且氟化鋰的成膜性較差，容易形成電子缺陷，造成電子的淬滅，降低了電子和空穴的復合幾率。

發明內容

基于此，有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由金屬層，鎂的化合物層摻雜層和銅的化合物層組成，所述金屬層材料功函數為-2.0eV～-3.5eV，所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料及摻雜在所述鎂的化合物材料中的雙極性有機傳輸材料，所述鎂的化合物層材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種，所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）雙（N,N-二（聯苯基）-4-氨）及2,5-雙（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一種，所述銅的化合物層材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種。

所述鎂的化合物層摻雜層中所述鎂的化合物材料與所述雙極性有機傳輸材料的質量比為2:1～4:1。

所述金屬層材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

所述金屬層厚度為1nm～5nm，鎂的化合物摻雜層厚度為20nm～50nm，所述銅的化合物層厚度為10nm～30nm。

所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種，所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種，所述空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種，所述電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種，所述陰極選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層；

在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層由金屬層，鎂的化合物層摻雜層和銅的化合物層組成，通過熱阻蒸鍍的方法在所述電子傳輸層表面制備金屬層，所述金屬層材料功函數為-2.0eV～-3.5eV，接著在所述金屬層表面通過熱阻蒸鍍方式制備鎂的化合物層摻雜層，所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料及摻雜在所述鎂的化合物材料中的雙極性有機傳輸材料，所述鎂的化合物材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種，所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）雙（N,N-二（聯苯基）-4-氨）及2,5-雙（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一種，通過電子束蒸鍍的方式在所述鎂的化合物摻雜層表面蒸鍍制備所述銅的化合物層，所述銅的化合物層材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，及，

在所述電子注入層表面制備陰極。

所述鎂的化合物層摻雜層中所述鎂的化合物材料與所述雙極性有機傳輸材料的質量比為2:1～4:1。

所述金屬層材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

所述金屬層厚度為1nm～5nm，鎂的化合物摻雜層厚度為20nm～50nm，所述銅的化合物層厚度為10nm～30nm。