[發(fā)明專利]光刻膠曝光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310586140.7
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103576469A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設計）人: 閆曉劍;田朝勇
• 申請（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光刻膠曝光裝置。

背景技術(shù)

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和平板產(chǎn)業(yè)最常用的工程技術(shù)，采用該技術(shù)可以將掩模板上的電路圖案轉(zhuǎn)移到基板上。在光刻方法中，光刻膠是最關(guān)鍵的光刻原材料，光刻膠按照吸收紫外光所產(chǎn)生的溶解度的不同變化，可以分為正性光刻膠和負性光刻膠兩種，正性光刻膠受光照溶解度變大，負性光刻膠受光照溶解度變小。

現(xiàn)有的光刻方法中，掩膜板1＇位于涂敷有光刻膠2＇的基板3＇的正上方，光束發(fā)生裝置產(chǎn)生的曝光光束4＇透過掩模板1＇上的電路圖案的透光部分11＇照射到基板3＇上的光刻膠2＇上，實現(xiàn)光刻膠2＇的曝光，如圖1所示，掩模板1＇上透光部分11＇的邊緣會產(chǎn)生光線散射，因此與透光部分11＇邊緣處對應的光刻膠2＇吸收紫外光的能量是漸變的，如圖2所示，又由于光刻膠2＇在一定的溫度下烘烤會產(chǎn)生流動性，因此經(jīng)過曝光顯影烘烤后的光刻膠圖案會在其邊緣會產(chǎn)生角度，按照光刻膠2＇性質(zhì)的不同，正性光刻膠產(chǎn)生邊緣與基板3＇表面成鈍角的光刻膠圖案，負性光刻膠產(chǎn)生邊緣與基板3＇表面成銳角的光刻膠圖案，分別如圖3、4所示。

在制作光刻膠圖案時，光刻膠圖案邊緣與基板間的角度往往起很關(guān)鍵的作用，正性光刻膠產(chǎn)生的鈍角有利于后續(xù)工序中薄膜對光刻膠圖案的覆蓋，負性光刻膠產(chǎn)生的銳角則有利于后續(xù)工序中光刻膠圖案對薄膜的切斷，在一套光刻過程中，基于不同的圖案制作需要，經(jīng)常需要交替使用正性光刻膠和負性光刻膠，使得光刻過程非常復雜性，而且成本居高不下。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，提供一種可以使正性光刻膠產(chǎn)生邊緣與基板表面成銳角的光刻膠圖案，負性光刻膠產(chǎn)生邊緣與基板表面成鈍角的光刻膠圖案的光刻膠曝光裝置，以期簡化光刻過程、降低光刻成本。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種光刻膠曝光裝置，包括掩模板、反射金屬薄膜和光束發(fā)生裝置，掩模板的透光部分為光柵，曝光時，掩模板位于涂敷有光刻膠的基板的正上方，反射金屬薄膜置于基板上與光柵對應的位置處，光束發(fā)生裝置產(chǎn)生的曝光光束透過掩模板上的光柵均勻的直射到基板上的光刻膠上，實現(xiàn)光刻膠的曝光，同時，反射金屬薄膜的邊緣對照射到其上的曝光光束產(chǎn)生散射。

進一步地，所述光柵的1個周期寬度為0.1微米到3微米。

與現(xiàn)有技術(shù)中曝光光束直接透過掩模板上透光部分照射到光刻膠上的過程相比，本發(fā)明的光刻膠曝光裝置使得照射到掩模板上的曝光光束透過光柵均勻的直射到光刻膠上，光刻膠的曝光更加均勻，所得光刻膠圖案不易產(chǎn)生內(nèi)應力，同時反射金屬膜的設置，使得照射到金屬膜上的光刻膠上的曝光光束發(fā)生反射和散射，一方面進一步加強受照射光刻膠的曝光程度，另一方面改變光刻膠內(nèi)部的曝光能量分布，使得正性光刻膠可以產(chǎn)生邊緣與基板表面成銳角的光刻膠圖案，負性光刻膠可以產(chǎn)生邊緣與基板表面成鈍角的光刻膠圖案，將本發(fā)明的光刻膠曝光裝置與傳統(tǒng)的光刻膠曝光裝置一起使用，可以通過一種光刻膠實現(xiàn)不同光刻膠圖案的要求，簡化光刻膠曝光工藝，減低生產(chǎn)成本。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的光刻膠曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有的光刻膠曝光裝置在光刻膠內(nèi)部形成的曝光能量分布圖；

圖3為采用現(xiàn)有的光刻膠曝光裝置形成的正性光刻膠的角度示意圖；

圖4為采用現(xiàn)有的光刻膠曝光裝置形成的負性光刻膠的角度示意圖；

圖5為本發(fā)明的光刻膠曝光裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明的光刻膠曝光裝置在光刻膠內(nèi)部形成的曝光能量分布圖；

圖7為采用本發(fā)明的光刻膠曝光裝置形成的正性光刻膠的角度示意圖；

圖8為采用本發(fā)明的光刻膠曝光裝置形成的負性光刻膠的角度示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖5所示，本實施例中的光刻膠曝光裝置包括掩模板1、反射金屬薄膜5和光束發(fā)生裝置，掩模板1的透光部分為光柵11，曝光時，掩模板1位于涂敷有光刻膠2的基板3的正上方，反射金屬薄膜5置于基板3上與光柵11對應的位置處，光束發(fā)生裝置產(chǎn)生的曝光光束4透過掩模板1上的光柵11均勻的直射到基板3上的光刻膠2上，實現(xiàn)光刻膠2的曝光，同時，反射金屬薄膜5的邊緣對照射到其上的曝光光束產(chǎn)生散射，進而在光刻膠2內(nèi)部產(chǎn)生如圖6所示的曝光能量分布。