[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310586125.2
• 申請(qǐng)日: 2013-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104659220A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽(yáng)極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述電子注入層由金屬摻雜層和酞菁類金屬化合物摻雜層組成，所述金屬摻雜層包括金屬材料組和摻雜在所述金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述金屬材料功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，所述酞菁類金屬化合物摻雜層包括酞菁類金屬化合物及摻雜在所述酞菁類金屬化合物中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述酞菁類金屬化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種，所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）雙（N,N-二（聯(lián)苯基）-4-氨）及2,5-雙（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層中所述金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為5:1～15:1，所述酞菁類金屬化合物摻雜層中所述酞菁類金屬化合物與所述雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.2:1～0.8:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層厚度為10nm～50nm，所述酞菁類金屬化合物摻雜層厚度為20nm～40nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

通過(guò)磁控濺射的方式在陽(yáng)極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層；

然后在電子傳輸層表面制備電子注入層，所述電子注入層由金屬摻雜層和酞菁類金屬化合物摻雜層組成，所述電子注入層的制備方式為：在電子傳輸層表面通過(guò)熱阻蒸鍍的方法制備金屬摻雜層，所述金屬摻雜層包括金屬材料組和摻雜在所述金屬材料中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述金屬材料功函數(shù)為-2.0eV～-3.5eV，然后在所述金屬摻雜層表面通過(guò)熱阻蒸鍍方式制備酞菁類金屬化合物摻雜層，所述酞菁類金屬化合物摻雜層包括酞菁類金屬化合物及摻雜在所述酞菁類金屬化合物中的雙極性有機(jī)傳輸材料，所述酞菁類金屬化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種，所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2,4,6-三（N-苯基-1-萘氨基）-1,3,5-三嗪，2,6-二（3-（9H-咔唑-9-基）苯）吡啶，3',3''-（4-（萘-1-基）-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基）雙（N,N-二（聯(lián)苯基）-4-氨）及2,5-雙（4-（9-（2-乙基己基）-9H-咔唑-3-基）苯基）-1,3,4-噁二唑中至少一種，及，

在所述電子注入層表面通過(guò)磁控濺射的方式形成陰極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬摻雜層中所述金屬材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為5:1～15:1，所述酞菁類金屬化合物摻雜層中所述酞菁類金屬化合物與所述雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為0.2:1～0.8:1。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬摻雜層厚度為10nm～50nm，所述酞菁類金屬化合物摻雜層厚度為20nm～40nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述金屬材料選自鎂、鍶、鈣及鐿中至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為：工作壓強(qiáng)為2×10^-3～5×10^-5Pa，電流為1A～5A，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述磁控濺射方式的工藝具體為：工作壓強(qiáng)為2×10^-3～5×10^-5Pa，蒸鍍速率為0.1nm/s～10nm/s，磁控濺射的加速電壓為300V～800V，磁場(chǎng)為50G～200G，功率密度為1W/cm²～40W/cm²。