[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310585548.2 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN104659217A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,其特征在于,包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述電子注入層由銣的化合物材料,雙極性有機傳輸材料和鈣的化合物材料組成,所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種,所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3″-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述電子注入層中所述銣的化合物材料,雙極性有機傳輸材料和鈣的化合物材料的質量比為(10~30):(3~5):1。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述電子注入層層厚度為20nm~80nm。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述發光層的材料選自4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種,所述空穴注入層的材料選自三氧化鉬、三氧化鎢及五氧化二釩中的至少一種,所述空穴傳輸層的材料選自1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種。
5.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層;
在電子傳輸層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備電子注入層,所述電子注入層由銣的化合物材料,雙極性有機傳輸材料和鈣的化合物材料組成,所述銣的化合物材料選自碳酸銣、氯化銣、硝酸銣及硫酸銣中至少一種,所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3″-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,所述鈣的化合物材料選自氧化鈣、氯化鈣、碳酸鈣及氟化鈣中至少一種,及,
在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于:所述電子注入層中所述銣的化合物材料,雙極性有機傳輸材料和鈣的化合物材料的質量比為(10~30):(3~5):1。
7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于:所述電子注入層層厚度為20nm~80nm。
8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,工作電流為1A~5A,有機材料的蒸鍍速率為0.1~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。
9.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于:所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,蒸鍍速率為0.1nm/s~10nm/s,磁控濺射的加速電壓為300V~800V,磁場為50G~200G,功率密度為1W/cm2~40W/cm2。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





