[發明專利]影像傳感器封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 201310585393.2
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103560138A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種影像傳感器的封裝方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤；

提供第二基板，所述第二基板中形成有若干空腔；

在第二基板的上表面形成膠帶膜，膠帶膜封閉空腔的開口；

將第二基板的下表面與第一基板的上表面壓合，使影像感應區位于空腔內；

切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板，形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層；

激光去膠工藝去除焊盤上剩余的第二基板材料，暴露出焊盤的表面；

將第一基板進行分割，形成單個的影像傳感器芯片；

將影像傳感器芯片上的焊盤與第三基板上的電路通過引線電連接。

2.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，采用刀片切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板。

3.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述相鄰空腔之間的第一基板上剩余第二基板的厚度小于20微米。

4.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述第二基板的材料為樹脂。

5.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述第二基板的材料為玻璃、硅或陶瓷。

6.如權利要求5所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述第二基板下表面上形成有粘合層，第二基板下表面和第一基板的上表面通過粘合層壓合。

7.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述粘合層的材料為環氧樹脂膠、聚酰亞胺膠、苯并環丁烯膠或聚苯并惡唑膠。

8.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，形成空腔壁的過程為：切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜、第二基板和部分厚度的粘合層，形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層；激光去膠工藝去除焊盤上剩余的粘合層，曝露出焊盤的表面。

9.如權利要求4或8所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，激光去膠工藝去除焊盤上剩余的第二基板材料或粘合層材料的過程為：激光頭發射的激光聚焦在焊盤上的剩余的第二基板材料或粘合層材料中；激光頭相對于第一基底來回運動，去除焊盤上剩余的第二基板材料或粘合層材料，形成開口，暴露出焊盤的表面。

10.如權利要求9所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，激光去膠工藝時，所述激光的脈沖寬度為1ns～200ns，脈沖頻率為80～200KHz，激光在聚焦點處的能量大于1E18W/cm²，激光頭移動的相對速度為1mm/s～25mm/s。

11.如權利要求9所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述激光去膠工藝包括多次激光刻蝕，每次激光刻蝕去除部分厚度的剩余的第二基板材料，直至暴露出焊盤的表面。

12.如權利要求9所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，激光刻蝕為多次時，每一次激光刻蝕的功率相同或不相同。

13.如權利要求12所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述激光刻蝕的次數至少包括第一次激光刻蝕和第二次激光刻蝕，第一次激光刻蝕去除部分厚度的第二基底材料或粘合層材料，形成凹槽，第二次激光刻蝕去除凹槽底部剩余的第二基底材料或粘合層材料，形成暴露出焊盤表面的開口。

14.如權利要求13所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，第一激光刻蝕時的激光的功率大于第二次激光刻蝕時的激光功率。

15.如權利要求14所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，第一次激光刻蝕時去除的第二基底材料或粘合層材料的厚度大于第二次激光刻蝕時去除的第二基底材料或粘合層材料的厚度。

16.如權利要求9所述的影像傳感器的封裝方法，其特征在于，所述焊盤的數量為多個，激光去膠工藝去除每個焊盤上的剩余的部分第二基板材料或粘合層材料，形成與每個焊盤對應的開口。