[發(fā)明專利]包括同時拋光襯底晶片的正面和反面的拋光半導(dǎo)體晶片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310585234.2
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103839798A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·海爾邁爾;L·米斯圖爾;K·勒特格;田畑誠
• 申請（專利權(quán)）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 譚邦會

1.一種用于拋光半導(dǎo)體晶片的方法，其包括在拋光介質(zhì)的存在下同時拋光襯底晶片的正面和反面，以實現(xiàn)從所述襯底晶片的正面和反面去除材料，所述方法分為第一和第二步驟，第一步驟中的材料去除速度高于第二步驟中的材料去除速度，其中第一拋光漿液被用作第一步驟中的拋光介質(zhì)，第二拋光漿液被用作第二步驟中的拋光介質(zhì)，并且第二拋光漿液與第一拋光漿液的區(qū)別至少在于第二拋光漿液包含聚合物添加劑。

2.權(quán)利要求1的方法，其中材料去除速度在第一步驟中為不小于0.4μm/min且不大于1.0μm/min，并且在第二步驟中為不小于0.15μm/min且不大于0.5μm/min。

3.權(quán)利要求1或2的方法，其中每單位側(cè)面面積的材料去除在第一步驟中為不小于4μm且不大于15μm，并且在第二步驟中為不小于0.5μm且不大于2.0μm。

4.權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法，其中以ESFQR_max表示的拋光半導(dǎo)體晶片的塌邊不大于40nm。