[發明專利]局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝

在審

• 申請號: 201310582756.7
• 申請日: 2013-11-20
• 公開（公告）號: CN104646633A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 毛萍莉;姜衛國;劉正;王峰
• 申請（專利權）人: 沈陽工業大學
• 主分類號: B22C9/10
• 分類號: B22C9/10;B22C9/04;C30B11/00
• 代理公司: 沈陽智龍專利事務所(普通合伙) 21115
• 代理人: 宋鐵軍;周楠

1.一種局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：該工藝方法步驟如下：

首先制備主陶瓷型芯1#陶瓷型芯（1）、3#陶瓷型芯（3）和高性能局部型芯2#陶瓷型芯（2），1#陶瓷型芯（1）與3#陶瓷型芯（3）具有獨立定位芯頭（5），2#陶瓷型芯（2）為獨立柱狀或管狀結構；將2#陶瓷型芯（2）整體浸涂一薄層蠟，然后將處理后的2#陶瓷型芯（2）與1#陶瓷型芯（1）和3#陶瓷型芯（3）組合后放入蠟模模具中壓蠟，最后經涂料制殼、脫蠟、燒結、單晶定向凝固、脫芯工序制得成品葉片。

2.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：1#陶瓷型芯（1）及3#陶瓷型芯（3）需預留與2#陶瓷型芯（2）尺寸相當的座孔（6），座孔的直徑需大于2#陶瓷型芯（2）的直徑尺寸5-20微米，座孔長度為1-3毫米。

3.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：2#陶瓷型芯（2）為純石英玻璃管或純石英玻璃柱，其直徑小于等于2毫米。

4.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：1#陶瓷型芯（1）與3#陶瓷型芯（3）為二氧化硅基陶瓷型芯或氧化鋁基陶瓷型芯。

5.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：2#陶瓷型芯（2）側面涂蠟膜（4）厚度為5-30微米，型芯端面涂蠟模厚度為0.5-2毫米。

6.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：2#陶瓷型芯（2）與1#陶瓷型芯（1）、3#陶瓷型芯（3）組合后的露頭（L）尺寸為1-3毫米。

7.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：葉片蠟模制備注射溫度55-65℃，注射壓力0.3-0.6?MPa，注射時間10-20秒，保壓時間10-20秒。

8.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：涂料制殼時選用硅溶膠和氧化鋁粉制備型殼，涂料6-8層。

9.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：采用蒸汽法脫除蠟模，蒸汽溫度為150-170℃，壓力6-8個大氣壓，時間為10-20分鐘。

10.根據權利要求1所述的局部可自由伸縮的單晶葉片用復雜結構陶瓷型芯制備工藝，其特征在于：制備單晶葉片的工藝為保溫爐上區溫度1480-1500℃，下區1480-1520℃，抽拉速率3-12㎜/分鐘。