[發(fā)明專(zhuān)利]頂柵型TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310582613.6
• 申請(qǐng)日: 2013-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103592801A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭霄;呂鳳珍;儲(chǔ)松南;張新霞
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1368
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1368
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種頂柵型TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設(shè)備，它的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)以及由柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)和像素電極。在顯示過(guò)程中，TFT作為開(kāi)關(guān)控制對(duì)液晶施加驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，從而控制液晶的旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的顯示。通常在彩膜基板上形成有黑矩陣，其與陣列基板上的非顯示區(qū)域位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示區(qū)域漏光，影響顯示質(zhì)量。

結(jié)合圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中多采用4Mask工藝形成底柵型TFT陣列基板，具體的，首先通過(guò)第一次Mask在襯底基板10上形成柵電極3；之后在柵電極3上形成柵絕緣層70；之后通過(guò)第二次Mask形成源電極4、漏電極5和有源層圖案6，有源層圖案6一般半導(dǎo)體圖案61和摻雜半導(dǎo)體圖案62，半導(dǎo)體61形成TFT的溝道9；然后在源電極4和漏電極5上形成鈍化層80，并通過(guò)第三次Mask形成鈍化層過(guò)孔11；最后通過(guò)第四次Mask形成像素電極7，且像素電極7通過(guò)鈍化層過(guò)孔11與漏電極5連接。

同時(shí)，對(duì)于常白模式的TFT-LCD，顯示一幅黑畫(huà)面時(shí)，非顯示區(qū)域產(chǎn)生的漏光現(xiàn)象，會(huì)使圖像的對(duì)比度下降，現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)在彩膜基板上與TFT對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置黑矩陣，來(lái)克服非顯示區(qū)域漏光的問(wèn)題。另外，液晶在受到信號(hào)線(xiàn)和像素電極之間的橫向電場(chǎng)作用時(shí)，在像素邊緣會(huì)發(fā)生顛倒傾斜取向缺陷，該缺陷會(huì)降低圖像對(duì)比度，而且有時(shí)候也會(huì)引起殘像。因此，需要增加黑矩陣的尺寸，使得彩膜基板上的黑矩陣（BM）和TFT陣列基板上的像素電極ITO有一定的交疊區(qū)域，才能保證不會(huì)漏光。但是由于彩膜基板和陣列基板對(duì)盒時(shí)會(huì)存在對(duì)準(zhǔn)偏差，所以彩膜基板上的黑矩陣一般會(huì)做得更大些，導(dǎo)致黑矩陣和陣列基板上的像素電極具有很大的交疊區(qū)域，一般在10um左右，才能保證不會(huì)漏光，但是這樣卻嚴(yán)重減小了TFT-LCD顯示屏的開(kāi)口率，不利于提高顯示效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種頂柵型TFT陣列基板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中為防止顯示區(qū)域的邊緣漏光，增大黑矩陣時(shí)，造成顯示面板的開(kāi)口率嚴(yán)重減小的問(wèn)題。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，用以解決顯示面板的開(kāi)口率小的問(wèn)題。

同時(shí)，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，用以解決顯示裝置顯示屏的圖像對(duì)比度低的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種頂柵型TFT陣列基板，其包括襯底基板、形成在襯底基板上的柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由柵線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)限定的像素單元；像素單元包括頂柵型TFT和像素電極，所述陣列基板還包括形成在襯底基板上的黑矩陣；所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括陣列基板，其中，所述陣列基板采用如上所述的頂柵型TFT陣列基板。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，其中，所述顯示面板采用如上所述的顯示面板。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種頂柵型TFT陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成頂柵型TFT和像素電極的步驟，還包括在襯底基板上形成黑矩陣的步驟，其中，所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述技術(shù)方案中，通過(guò)在陣列基板上形成黑矩陣，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，有效減小了黑矩陣的增加尺寸，增加了顯示面板的開(kāi)口率，保證了顯示裝置的顯示特性。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中頂柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3表示圖2沿B-B方向的局部剖視圖；

圖4-圖8表示本發(fā)明實(shí)施例中頂柵型TFT陣列基板的制造過(guò)程示意圖。

具體實(shí)施方式