[發(fā)明專利]一種用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310581619.1 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN104658848A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 丁航宇 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州美實特質(zhì)譜儀器有限公司 |
| 主分類號: | H01J49/00 | 分類號: | H01J49/00;H01J49/42;H01J49/02 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 正負 離子 反應 研究 質(zhì)譜儀 系統(tǒng) | ||
1.一種用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng);其特征在于:包括產(chǎn)生正離子的第一離子源(1)、第一離子光學系統(tǒng)(10)、產(chǎn)生負離子的第二離子源(2)、第二離子光學系統(tǒng)(20)、同時存儲正離子和負離子的離子阱(3)、與所述離子阱(3)連接的第一工作電源(30)、可用于檢測反應產(chǎn)物的飛行時間質(zhì)譜儀(4);從所述第一離子源(1)產(chǎn)生的正離子經(jīng)所述第一離子光學系統(tǒng)(10)進入所述離子阱(3),同時從所述第二離子源(2)產(chǎn)生的負離子經(jīng)所述第二離子光學系統(tǒng)(20)進入所述離子阱(3)中,在所述離子阱(3)中正離子和負離子碰撞化學反應后被第一工作電源(30)產(chǎn)生的脈沖電壓逐出所述離子阱(3)進入飛行時間質(zhì)譜儀(4)作質(zhì)量分析。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng),其特征在于:所述飛行時間質(zhì)譜儀(4)中有離子加速區(qū)(40)、離子探測器(5)、與所述離子探測器(5)連接的第二工作電源(50);反應產(chǎn)物被逐出所述離子阱(3)后經(jīng)所述離子加速區(qū)(40)到達所述離子探測器(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng),其特征在于:在所述第一離子源(1)和所述第一離子光學系統(tǒng)(10)之間連接有第一四極桿質(zhì)量分析器(11);在所述第二離子源(2)和所述第二離子光學系統(tǒng)(20)之間連接有第二四極桿質(zhì)量分析器(21)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng),其特征在于:在所述第一離子源(1)和所述第一離子光學系統(tǒng)(10)之間連接有第一四極桿質(zhì)量分析器(11);所述第二離子源(2)是電子束源,所述第一離子源(1)是電子轟擊離子源或電噴霧電離離子源或基質(zhì)輔助的激光脫附電離離子源。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng),其特征在于:所述第一離子源(1)是電子轟擊電離離子源或電噴霧電離離子源或光電離離子源;所述第二離子源(2)是化學電離離子源或電噴霧電離離子源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的用于正負離子反應研究的質(zhì)譜儀系統(tǒng),其特征在于:所述飛行時間質(zhì)譜儀(4)是直線型或反射式。
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