[發明專利]集成電路封裝及制造方法

有效

• 申請號: 201310581594.5
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103839897B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: J·M·威廉姆森;N·夏海迪;Y·龐
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/14
• 分類號: H01L23/14;H05K1/03
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種集成電路封裝件，其包括：

基板，其具有：頂表面，所述頂表面具有集成電路管芯安裝區域和包圍所述安裝區域的外周區域；多個大致平行的導體層；以及在垂直于所述導體層的方向上延伸穿過所述導體層的多個電鍍穿孔，所述多個電鍍穿孔包括位于所述集成電路管芯安裝區域之下并利用具有第一填料熱膨脹系數的填料材料填充的第一部分以及位于所述外周區域之下并利用具有大于所述第一填料熱膨脹系數的第二填料熱膨脹系數的材料填充的第二部分，以及

附連到所述管芯安裝區域的管芯。

2.根據權利要求1所述的集成電路封裝件，其中至少一個所述導體層是用具有第一導體熱膨脹系數的第一導體材料形成的，并且至少一個所述導體層是用具有不同于所述第一導體熱膨脹系數的第二導體熱膨脹系數的第二導體材料形成的。

3.根據權利要求2所述的集成電路封裝件，其中所述基板進一步包括布置在所述多個大致平行的導體層之間的多個絕緣層，其中至少一個所述絕緣層是用具有第一絕緣體熱膨脹系數的第一絕緣材料形成的，并且至少一個所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣材料形成的。

4.根據權利要求1所述的集成電路封裝件，其中所述基板進一步包括布置在所述多個大致平行的導體層之間的多個平行的絕緣層，其中至少一個所述絕緣層是用具有第一絕緣體熱膨脹系數的第一絕緣材料形成的，并且至少一個所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣材料形成的。

5.根據權利要求1所述的集成電路封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。

6.根據權利要求5所述的集成電路封裝件，其中所述基板在其一個表面上具有球柵陣列。

7.根據權利要求2所述的集成電路封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。

8.根據權利要求7所述的集成電路封裝件，其中所述基板在其一個表面上具有球柵陣列。

9.根據權利要求3所述的集成電路封裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。

10.根據權利要求9所述的集成電路封裝件，其中所述基板在其一個面對表面上具有球柵陣列。

11.一種集成電路組裝件，其包括：

基板，其具有：頂表面，其中所述頂表面具有在其上形成的集成電路管芯安裝區域，外圍區域包圍所述安裝區域；以及多個大致平行的導體層，所述導體層包括多個第一導體層和最遠離所述基板的所述頂表面的第二導體層，其中所述多個第一導體層是用具有第一導體熱膨脹系數的第一導體材料形成的，并且所述第二導體層是用具有低于所述第一導體熱膨脹系數的第二導體熱膨脹系數的第二導體材料形成的；以及

安裝在所述集成電路管芯安裝區域上的集成電路管芯。

12.根據權利要求11所述的集成電路組裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。

13.根據權利要求12所述的集成電路組裝件，其中所述基板在其一個表面上具有球柵陣列。

14.根據權利要求11所述的集成電路組裝件，其中所述基板進一步包括布置在所述多個平行的導體層之間的多個大致平行的絕緣層，其中至少一個所述絕緣層是用具有第一絕緣體熱膨脹系數的第一絕緣材料形成的，并且至少一個所述絕緣層是用具有不同于所述第一絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣體熱膨脹系數的第二絕緣材料形成的。

15.根據權利要求14所述的集成電路組裝件，其中所述管芯是倒裝芯片管芯。

16.根據權利要求15所述的集成電路組裝件，其中所述基板在其一個表面上具有球柵陣列。