[發明專利]銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜、制備方法及其應用

在審

• 申請號: 201310581061.7
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN104650894A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/75
• 分類號: C09K11/75;H01L33/50
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜，其特征在于，其化學式為Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺，其中，0.01≤x≤0.08，0.01≤y≤0.1，Me₃(SbS₄)₂是基質，銅元素和銥元素是激活元素，Me為Mg,Ca,Sr和Ba中至少一種。

2.根據權利要求1所述的銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的厚度為80nm～300nm。

3.一種銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室中，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺各元素的化學計量比將(C₅H₅)₂Me、氧化二乙酰丙酮合硫代銻、乙酰丙酮銅和乙酰丙酮銥通入反應室內；及

通入硫化氫，硫化氫氣體的氣流量為10sccm～200sccm，進行化學氣相沉積得到化學式為Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺的銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜，其中，0.01≤x≤0.08，0.01≤y≤0.1，Me₃(SbS₄)₂是基質，銅元素和銥元素是激活元素，Me為Mg,Ca,Sr和Ba中至少一種。

4.根據權利要求3所述的銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述(C₅H₅)₂Me、氧化二乙酰丙酮合硫代銻，乙酰丙酮銅和乙酰丙酮銥摩爾比為3：2：（0.01～0.08）：（0.01～0.1）。

5.根據權利要求3所述的銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述氬氣氣流量為5～15sccm。

6.根據權利要求3所述的銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，將所述襯底裝入所述反應室后將所述襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。

7.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜，該銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的化學式為Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺，其中，0.01≤x≤0.08，0.01≤y≤0.1，Me₃(SbS₄)₂是基質，銅元素和銥元素是激活元素，Me為Mg,Ca,Sr和Ba中至少一種。

8.根據權利要求7所述的薄膜電致發光器件，其特征在于，所述發光層的厚度為80nm～300nm。

9.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的薄膜為銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜，該銅銥共摻雜硫代銻酸鹽發光薄膜的化學式為Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺，其中，0.01≤x≤0.08，0.01≤y≤0.1，Me₃(SbS₄)₂是基質，銅元素和銥元素是激活元素，Me為Mg,Ca,Sr和Ba中至少一種；

在所述發光層上形成陰極。

10.根據權利要求9所述的薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光層的制備包括以下步驟：

將所述襯底裝入化學氣相沉積設備的反應室，并將反應室的真空度設置為1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

調節襯底的溫度為250℃～650℃，轉速為50轉/分鐘～1000轉/分鐘，采用氬氣氣流作為載體，根據Me₃(SbS₄)₂：xCu²⁺,yIr³⁺各元素的化學計量比將(C₅H₅)₂Me、氧化二乙酰丙酮合硫代銻、乙酰丙酮銅和乙酰丙酮銥通入反應室內，其中，氬氣氣流量為5～15sccm，

通入硫化氫，硫化氫氣體的氣流量為10sccm～200sccm，沉積薄膜在所述陽極上形成發光層。