[發明專利]光電元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201310580722.4
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN104659175A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 王佳琨;沈建賦;陳宏哲;陳昭興
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種光電元件，尤其是涉及一種光電元件的電極設計。

背景技術

發光二極管(light-emitting?diode,LED)的發光原理是利用電子在n型半導體與p型半導體間移動的能量差，以光的形式將能量釋放，這樣的發光原理有別于白熾燈發熱的發光原理，因此發光二極管被稱為冷光源。此外，發光二極管具有高耐久性、壽命長、輕巧、耗電量低等優點，因此現今的照明市場對于發光二極管寄予厚望，將其視為新一代的照明工具，已逐漸取代傳統光源，并且應用于各種領域，如交通號志、背光模塊、路燈照明、醫療設備等。

圖1A是現有的發光元件結構示意圖，如圖1A所示，現有的發光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半導體疊層12，以及至少一電極14位于上述半導體疊層12上，其中上述的半導體疊層12由上而下至少包含一第一導電型半導體層120、一活性層122，以及一第二導電型半導體層124。

圖1B是現有的發光元件電極結構示意圖，如圖1B所示，現有的發光元件100，包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半導體疊層12，以及至少一電極14位于上述半導體疊層12上，其中電極14可包含一反射電極141及一擴散阻障層142。但因為擴散阻障層142可能反射率不佳，而降低了發光元件100的出光效率。

此外，上述的發光元件100更可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發光裝置(light-emitting?apparatus)。圖2為現有的發光裝置結構示意圖，如圖2所示，一發光裝置200包含一具有至少一電路202的次載體(sub-mount)20；至少一焊料(solder)22位于上述次載體20上，通過此焊料22將上述發光元件100粘結固定于次載體20上并使發光元件100的基板10與次載體20上的電路202形成電連接；以及，一電連接結構24，以電連接發光元件100的電極14與次載體20上的電路202；其中，上述的次載體20可以是導線架(lead?frame)或大尺寸鑲嵌基底(mounting?substrate)，以方便發光裝置200的電路規劃并提高其散熱效果。

發明內容

為解決上述問題，本發明提供一種光電元件，包含：一半導體疊層；一第一金屬層形成于半導體疊層之上，其中第一金屬層具有一第一主平面且第一金屬層的兩邊緣的厚度為逐漸減薄；及一第二金屬層形成于第一金屬層之上，其中第二金屬層具有一與第一主平面平行的第二主平面且第二金屬層的兩邊緣的厚度為逐漸減薄，且第二金屬層的邊緣超過第一金屬層的邊緣。

附圖說明

圖1A-圖1B為一結構圖，顯示一現有陣列發光二極管元件側視結構圖；

圖2為一示意圖，顯示一現有發光裝置結構示意圖；

圖3A-圖3E為本發明第一實施例制造流程結構示意圖；

圖4A-圖4B是顯示本發明電極設計的二次電子顯微鏡圖；

圖5A至圖5C是繪示出一發光模塊示意圖；

圖6A-圖6B是繪示出一光源產生裝置示意圖；及

圖7是繪示一燈泡示意圖。

具體實施方式

本發明揭示一種發光元件及其制造方法，為了使本發明的敘述更加詳盡與完備，請參照下列描述并配合圖3A至圖7的圖示。

圖3A至圖3E圖3E為本發明第一實施例制造流程結構示意圖，如圖3A所示，提供一基板30，接著形成一半導體外延疊層32于此基板30之上，其中半導體外延疊層32由下而上至少包含一第一導電型半導體層、一活性層，以及一第二導電型半導體層，且半導體外延疊層32具有一未與基板30相鄰的上表面321，其中此上表面包含一第一區3211與第二區3212。