[發明專利]用于鑲件表面與EDM深型腔的電鍍前處理工藝

有效

• 申請號: 201310580324.2
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN104651916A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 葉文利;胡永森;陶俊;曹杰;朱啟武
• 申請（專利權）人: 銅陵三佳山田科技有限公司
• 主分類號: C25D17/12
• 分類號: C25D17/12
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務所 34105
• 代理人: 程霏

技術領域

本發明涉及電鍍工藝，尤其涉及用于鑲件表面與EDM深型腔的電鍍前處理工藝。

背景技術

目前，在金屬電鍍行業中，都只是簡單的工藝。是把要電鍍的工件做陰極，把要鍍上去的金屬接在陽極，為排除其它陽離子的干擾，且使鍍層均勻、牢固，需用含鍍層金屬陽離子的溶液做電鍍液，以保持鍍層金屬陽離子的濃度不變。電鍍的目的是在基材上鍍上金屬鍍層，改變基材表面性質或尺寸。電鍍能增強金屬的抗腐蝕性(鍍層金屬多采用耐腐蝕的金屬)、增加硬度、防止磨耗、提高導電性、潤滑性、耐熱性和表面美觀。

在電鍍過程中通以直流電的電源后，陽極的金屬會氧化（失去電子），溶液中的正離子則在陰極還原（得到電子）成原子并積聚在陰極表層。現在的電鍍過程中，運用普通的電鍍方式時，在電鍍后的表面會有電鍍層不均勻，或翹皮、霧蒙蒙狀等，這樣外觀看起來就不是很美觀；而在EDM加工的較深型腔工件當中，型腔底面可能有鍍不上的現象，達不到防銹的作用，且沒鍍上的區域和鍍上的區域有明顯的色差，極為不美觀。

發明內容

本發明要解決的技術問題是現有電鍍工藝使電鍍件表面鍍層不均勻周邊有毛刺，EDM加工的較深型腔工件底面渡不上有色差，為此提供一種用于鑲件表面與EDM深型腔的電鍍前處理工藝。

本發明的技術方案是：用于鑲件表面與EDM深型腔的電鍍前處理工藝，它包括以下步驟：（1）、把待電鍍的工件放在有機玻璃板上；（2）、將鈦金屬板上均勻打出若干網格狀孔洞，放在待電鍍工件的陰極表面上，鈦金屬板與待電鍍工件周邊之間設有有機玻璃板以保持間隔；（3）、在鈦金屬板的表面一側固接有可導電的金屬板；（4）將鈦金屬板與待電鍍工件固接然后放入電鍍槽中進行電鍍。

上述方案中步驟（2）中鈦金屬板與待電鍍工件之間的間隔為1-10mm。

上述方案中所述步驟（1）中在待電鍍的工件周邊包圍有金屬保護層。

本發明的有益效果是在原來電鍍工藝的基礎上，增加了輔助性陽極（鈦金屬板）的設計。鈦金屬在鍍鉻過程中表面不會有鍍層，可使其金屬陽離子的充分地在電流作用下失去電子，從而使電鍍正離子有效地得到電子還原成原子覆蓋在陰極上；金屬保護層的作用是保護待電鍍工件的周邊平整性，避免毛刺的出現，讓毛刺出現在金屬保護層的周邊。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步說明。

實施例1：包括（1）、把待電鍍的工件放在有機玻璃板上；（2）、將鈦金屬板上均勻打出若干網格狀孔洞，放在待電鍍工件的陰極表面上，鈦金屬板與待電鍍工件周邊之間設有有機玻璃板以保持間隔；（3）、在鈦金屬板的表面一側固接有可導電的金屬板；（4）將鈦金屬板與待電鍍工件固接然后放入電鍍槽中進行電鍍。

實施例2：（1）、把待電鍍的工件放在有機玻璃板上，在待電鍍的工件周邊包圍有金屬保護層；（2）、將鈦金屬板上均勻打出若干網格狀孔洞，放在待電鍍工件的陰極表面上，鈦金屬板與待電鍍工件周邊之間設有有機玻璃板以保持間隔，間隔為1mm；（3）、在鈦金屬板的表面一側固接有可導電的金屬板；（4）、將鈦金屬板與待電鍍工件通過粘接固接然后放入電鍍槽中進行電鍍。

實施例3：（1）、把待電鍍的工件放在有機玻璃板上，在待電鍍的工件周邊包圍有金屬保護層；（2）、將鈦金屬板上均勻打出若干網格狀孔洞，放在待電鍍工件的陰極表面上，鈦金屬板與待電鍍工件周邊之間設有有機玻璃板以保持間隔，間隔為:10mm；（3）、在鈦金屬板的表面一側固接有可導電的金屬板；（4）、將鈦金屬板與待電鍍工件通過螺栓固接然后放入電鍍槽中進行電鍍。

金屬保護層一方面將不需要電鍍的部分隔離，避免待電鍍工件的周邊出現毛刺，另一方面增強陰極的電流連接。鈦金屬板與待電鍍工件周邊之間的間隔越小，作用越大，但不能與陰極相接觸。

鈦金屬板中間開有網狀的孔，這樣是為了電鍍液在電鍍過程中有更多的正離子產生。在鈦金屬板與待電鍍工件之間，用有機玻璃板用來隔離，避免鈦金屬板與陰極有電流相接通的可能性，（如果金屬之間有接觸即為短路）。最后將鈦金屬板用螺釘與待鍍陰極板上，然后就可以將整個裝置放入電鍍槽中進行電鍍。通過可導電的金屬板的加強電流作用，取得了良好的導電效果。金屬板可以是銅板、鋁板、鐵板，當然優選是鈦板。

需要電鍍時分別在可導電的金屬板以及與之相對的另一側的金屬保護層上連接上懸掛件，放入電鍍槽內準備電鍍。

上面結合實施例對本發明進行了示例性描述，顯然本發明具體實現并不受上述方式的限制，只要采用了本發明的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進，或未經改進將本發明的構思和技術方案直接應用于其它場合的，均在本發明的保護范圍之內。