[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310579444.0
• 申請(qǐng)日: 2013-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN104103642B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸圣根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L23/522
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種非易失性存儲(chǔ)器件，包括：

柵結(jié)構(gòu)，所述柵結(jié)構(gòu)包括形成在襯底之上的選擇柵以及形成在所述選擇柵的一個(gè)側(cè)壁上的存儲(chǔ)器柵；

漏極區(qū)，所述漏極區(qū)形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)的一個(gè)側(cè)壁處，并與所述存儲(chǔ)器柵的一部分重疊；

源極區(qū)，所述源極區(qū)形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)的另一個(gè)側(cè)壁處，并與所述選擇柵的一部分重疊；以及

接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)形成在所述柵結(jié)構(gòu)之上，并將所述選擇柵與所述存儲(chǔ)器柵電合并。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述存儲(chǔ)器柵與所述接觸結(jié)構(gòu)之間的接觸面積大體等于所述選擇柵與所述接觸結(jié)構(gòu)之間的接觸面積。

3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述選擇柵具有比所述存儲(chǔ)器柵更大的臨界尺寸，以及

所述選擇柵的與所述接觸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的臨界尺寸大體等于所述存儲(chǔ)器柵的與所述接觸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的臨界尺寸。

4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述選擇柵包括凹部，所述凹部是通過與所述接觸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)地將所述選擇柵的側(cè)壁的一部分凹陷來形成的，以及

所述存儲(chǔ)器柵包括凸部，所述凸部是通過與所述凹部相對(duì)應(yīng)地將所述存儲(chǔ)器柵的側(cè)壁的一部分突出來形成的。

5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)包括接觸插塞，所述接觸插塞穿過覆蓋包括所述柵結(jié)構(gòu)的所述襯底的整個(gè)表面的層間電介質(zhì)層而與所述選擇柵和所述存儲(chǔ)器柵接觸。

6.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述接觸插塞具有帶有長軸和短軸的矩形柱體形狀或橢圓形柱體形狀。

7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，還包括：

N型阱，所述N型阱形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)下方；以及

隔離層，所述隔離層形成在所述襯底中，并限定有源區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)定位在所述隔離層之上。

9.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)包括形成在所述N型阱中的P型雜質(zhì)區(qū)。

10.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求10所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述源極區(qū)包括第一雜質(zhì)區(qū)和第二雜質(zhì)區(qū)，所述第二雜質(zhì)區(qū)具有比所述第一雜質(zhì)區(qū)更高的摻雜濃度，以及

所述漏極區(qū)僅由所述第二雜質(zhì)區(qū)構(gòu)成。

12.一種非易失性存儲(chǔ)器件，包括：

柵結(jié)構(gòu)，所述柵結(jié)構(gòu)包括形成在襯底之上的選擇柵，以及形成在所述選擇柵的一個(gè)側(cè)壁上并具有P型溝道的存儲(chǔ)器柵；

漏極區(qū)，所述漏極區(qū)形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)的一個(gè)側(cè)壁處，并與所述存儲(chǔ)器柵的一部分重疊；

源極區(qū)，所述源極區(qū)形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)的另一側(cè)壁處，并與所述選擇柵的一部分重疊；以及

接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)形成在所述柵結(jié)構(gòu)之上，并將所述選擇柵與所述存儲(chǔ)器柵電合并，其中所述接觸結(jié)構(gòu)與所述存儲(chǔ)器柵之間的接觸面積大體等于所述接觸結(jié)構(gòu)與所述選擇柵之間的接觸面積。

13.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述選擇柵具有比所述存儲(chǔ)器柵更大的臨界尺寸，以及

所述選擇柵的與所述接觸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的臨界尺寸等于所述存儲(chǔ)器柵的與所述接觸結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的臨界尺寸。

14.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，還包括N型阱，所述N型阱形成在所述襯底中、位于所述柵結(jié)構(gòu)下方，

其中所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)包括形成在所述N型阱中的P型雜質(zhì)區(qū)。

15.如權(quán)利要求12所述的非易失性存儲(chǔ)器件，其中所述漏極區(qū)和所述源極區(qū)具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)。