[發(fā)明專利]釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料、制備方法及其應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310578832.7
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN104650915A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/85
• 分類號(hào): C09K11/85;H01L33/50;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及一種釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料、其制備方法、釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】

薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料，仍未見報(bào)道。

【發(fā)明內(nèi)容】

基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料、其制備方法、釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料，其化學(xué)式為aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺，其中，a為0.07～0.12，b為0.06～0.12，c為0.25～0.32，d為0.48.～0.53，x為0.01～0.05。

一種釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟：

根據(jù)aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Na₂CO₃，LaF₃，TiF₄，SiO₂和Sm₂O₃粉體并混合均勻，其中，a為0.07～0.12，b為0.06～0.12，c為0.25～0.32，d為0.48.～0.53，x為0.01～0.05；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)即得到化學(xué)式為aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺的釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光材料。

一種釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜，該釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜的材料的化學(xué)通式為aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺，其中，a為0.07～0.12，b為0.06～0.12，c為0.25～0.32，d為0.48.～0.53，x為0.01～0.05。

一種釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據(jù)aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取Na₂CO₃，LaF₃，TiF₄，SiO₂和Sm₂O₃粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結(jié)0.5小時(shí)～5小時(shí)制成靶材，其中，a為0.07～0.12，b為0.06～0.12，c為0.25～0.32，d為0.48.～0.53，x為0.01～0.05；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設(shè)置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強(qiáng)0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80W～300W，接著進(jìn)行制膜，得到化學(xué)式為aNa₂O-bLaF₃-cTiF₄-dSiO₂∶xSm³⁺的釤摻雜氟鈦硅酸鹽發(fā)光薄膜，a為0.07～0.12，b為0.06～0.12，c為0.25～0.32，d為0.48.～0.53，x為0.01～0.05。