[發明專利]制作FinFET的方法

在審

• 申請號: 201310578588.4
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN104658908A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 韓秋華;隋運奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;付偉佳

1.一種制作FinFET的方法，包括：

a）提供SOI襯底，所述SOI襯底包括半導體襯底、位于所述半導體襯底上的掩埋絕緣層以及位于所述掩埋絕緣層上的Si層；

b）對所述Si層進行刻蝕至露出所述掩埋絕緣層，以形成用于NMOS晶體管的第一鰭片和用于PMOS晶體管的第二鰭片；

c）形成僅覆蓋所述第二鰭片的反應層，所述反應層中包括Ge；以及

d）執行Ge凝結工藝，以使Ge從所述反應層中擴散到所述第二鰭片中。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ge凝結工藝包括在氧氣的氣氛中使所述c）步驟獲得的器件保持在凝結溫度。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述凝結溫度大于或等于1000℃。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應層為SiGe材料層。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述反應層中Ge的含量為20-80%。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述反應層的厚度為2nm-50nm。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步驟包括：

在所述掩埋絕緣層上以及所述第一鰭片和所述第二鰭片上形成掩膜層；

采用刻蝕工藝去除所述掩膜層的覆蓋所述第二鰭片的部分；

采用外延法在所述第二鰭片上形成所述反應層。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法在所述d）步驟之后還包括：

去除所述掩膜層和執行所述Ge凝結工藝之后的反應層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，采用SiCoNi預清工藝去除所述掩膜層和所述執行所述Ge凝結工藝之后的反應層。

10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述掩膜層包括氮化物和/或氧化物。