[發明專利]一種銪離子Eu3+激活的鉬酸鹽紅色熒光粉、制備方法及應用有效
| 申請號: | 201310577821.7 | 申請日: | 2013-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103571481A | 公開(公告)日: | 2014-02-12 |
| 發明(設計)人: | 黃彥林;魏東磊;秦琳;祁淑云;王婧 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | C09K11/78 | 分類號: | C09K11/78;H01L33/50 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 離子 eu sup 激活 鉬酸 紅色 熒光粉 制備 方法 應用 | ||
技術領域
本發明涉及一種稀土發光材料、制備方法及其應用,特別涉及一種白光LED用近紫外光和藍光有效激發的稀土發光材料及其制備方法。
背景技術
對于目前的白光LED,其中最主流的實現方式是藍光LED與黃色熒光粉組合發出白光,這種方式產生的白光因缺少紅色成分,導致了其相關色溫較高,顯色指數較低,這就限制了這種LED在實際生活中的一些潛在的應用。當在其中加入紅色成分以后,可明顯改善白光LED的相關色溫和顯色指數,因此紅色熒光粉在調制白光LED和改善其顯色效果方面起著至關重要的作用。但目前尚缺少能夠被現有藍光和紫外LED芯片有效激發的高效紅色熒光粉。目前已成熟的InGaN藍色LED芯片的發光光譜的發射峰一般位于460±10納米,發射峰的半高寬較窄,在25納米左右;較成熟的近紫外LED芯片發射光譜峰值一般位于365~410納米。
目前,商業化的基于藍光LED芯片激發的紅色熒光粉仍然局限在硫化物和氮化物體系。硫化物體系效率較低,化學穩定性差,易產生H2S氣體而腐蝕LED?芯片;氮化物體系雖然克服了硫化物的上述缺點而顯示出較好的性能,但是其較高的價格使大多數LED封裝廠商無法承受而限制了其應用。因此開發出一種穩定性高,價格低,能夠被近紫外光/藍光有效激發的紅色熒光粉被業界深切關注。
而在LED用紅粉的研究中,Eu3+激活的熒光粉已經成為了一個研究的熱門方向。Eu3+離子因其在紅光波段有較強的本征發射光譜,成為當前紅色稀土熒光粉中應用最廣泛的稀土離子,而且Eu3+離子激活的熒光體的激發光譜在395納米(近紫外)和467納米(藍光)附近有兩個線性激發峰,與現階段LED芯片的發射基本匹配,自然成為了當前LED用紅色熒光粉研究的熱點。而在這些Eu3+離子激活的熒光體中,鉬酸鹽以其優異的化學和熱穩定性能,吸引了眾多研究人員的注意。然而,目前以銪離子Eu3+激活的鉬酸鹽紅色熒光粉材料未見報道。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術存在上述的問題,提供一種具有良好的發光強度、穩定性、顯色性和粒度,與近紫外LED芯片和藍光LED芯片輸出波長匹配性好,可應用在白光LED及其它發光領域的銪離子激活的鉬酸鹽紅色熒光粉、制備方法及應用。
為了實現上述目的,本發明的技術方案是提供一種銪離子Eu3+激活的鉬酸鹽紅色熒光粉,它的化學式為Na2A5-5xEu5xMo6O24:Eu3+,其中,A為Zn2+或Mg2+中的一種,x為Eu3+替換A的摩爾比系數,0.0001≤x≤0.2;所述的紅色熒光粉受波長為260~480納米波段的激發,發射主波峰位于612納米附近的紅光。
本發明技術方案還包括一種如上所述的銪離子Eu3+激活的鉬酸鹽紅色熒光粉的制備方法,包括如下步驟:
(1)?以含有鈉離子Na+、銪離子Eu3+、鉬離子Mo6+、A離子的化合物為原料,按化學式Na2A5-5xEu5xMo6O24中各元素的摩爾比稱取各原料,研磨并混合均勻;其中,A離子為Zn2+、Mg2+中的一種,x為Eu3+替換A的摩爾比系數,0.0001≤x≤0.2;
?(2)將得到的混合物在空氣氣氛下預燒結1~2次,燒結溫度為200~650℃,一次的燒結時間為1~20小時;
(3)自然冷卻后,研磨并混合均勻,在空氣氣氛中煅燒,煅燒溫度為650~900℃,煅燒時間為1~20小時,得到一種紅色熒光粉。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州大學,未經蘇州大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310577821.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:緊湊型機車齒輪箱裝配
- 下一篇:一種可調杠桿比的制動踏板結構
- <100>N<SUP>-</SUP>/N<SUP>+</SUP>/P<SUP>+</SUP>網狀埋層擴散拋光片
- 零50電力L<SUP>2</SUP>C<SUP>2</SUP>專用接口<SUP></SUP>
- 高保真打印輸出L<SUP>*</SUP>a<SUP>*</SUP>b<SUP>*</SUP>圖像的方法
- 在硅晶片上制備n<sup>+</sup>pp<sup>+</sup>型或p<sup>+</sup>nn<sup>+</sup>型結構的方法
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯合提取裝置
- <sup>79</sup>Se、<sup>93</sup>Zr、<sup>107</sup>Pd聯合提取裝置
- <sup>182</sup>Hf/<sup>180</sup>Hf的測定方法
- 五環[5.4.0.0<sup>2</sup>,<sup>6</sup>.0<sup>3</sup>,<sup>10</sup>.0<sup>5</sup>,<sup>9</sup>]十一烷二聚體的合成方法
- 含煙包裝袋中Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、NH<sub>4</sub><sup>+</sup>、K<sup>+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Ca<sup>2+</sup>離子的含量測定方法
- <base:Sup>68





