[發(fā)明專利]陣列基板、顯示裝置及其驅(qū)動方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310577290.1
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN103558721A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程鴻飛
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/133
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板，以及設(shè)有該陣列基板的顯示裝置及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，高級超維場轉(zhuǎn)換（Advanced?super?Dimension?Switch，ADS）型液晶顯示器具有寬視角、高開口率、高透過率等優(yōu)點而被廣泛的應(yīng)用。

目前，在ADS型液晶顯示器的像素中，液晶分子通常以單疇或兩疇的方式設(shè)計。在ADS型液晶顯示器的驅(qū)動過程中，向像素電極充入一定大小的數(shù)據(jù)信號，在像素中形成一種方向（單疇）或兩種方向（兩疇）的水平電場，使液晶分子沿電場方向偏轉(zhuǎn)，從而顯示圖像。

本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：現(xiàn)有的ADS型液晶顯示器中，每個像素中是以單一大小的電場驅(qū)動液晶分子，所以液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度是相同的，因此存在視角較小的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，以及設(shè)有該陣列基板的顯示裝置及其驅(qū)動方法，解決了現(xiàn)有的ADS型液晶顯示器視角較小的技術(shù)問題。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

本發(fā)明提供一種陣列基板，包括n+1行柵線和m列數(shù)據(jù)線，以及呈陣列式設(shè)置的n×m個像素；

每個所述像素包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、公共電極，以及與所述公共電極對應(yīng)設(shè)置的第一像素電極、第二像素電極和存儲電極；

第i行的每個像素中，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極連接第i行柵線，第三薄膜晶體管的柵極連接第i+1行柵線，其中，1≤i≤n；

第j列的每個像素中，第一像素電極和第二像素電極分別通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管連接第j列數(shù)據(jù)線，第二像素電極還通過第三薄膜晶體管連接存儲電極，其中，1≤j≤m。

優(yōu)選的，所述第一像素電極和所述第二像素電極具有狹縫。

優(yōu)選的，所述狹縫為折線狹縫。

優(yōu)選的，所述第一像素電極、第二像素電極和存儲電極位于所述公共電極的上方。

進(jìn)一步，第j列的每個像素中，所述第一薄膜晶體管的源極連接所述第j列數(shù)據(jù)線，所述第一薄膜晶體管的漏極連接所述第一像素電極和所述第二薄膜晶體管的源極，所述第二薄膜晶體管的漏極連接所述第二像素電極。

優(yōu)選的，所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述存儲電極同層設(shè)置。

優(yōu)選的，所述公共電極、所述第一像素電極、所述第二像素電極和所述存儲電極的材料為銦錫氧化物或銦鋅氧化物。

優(yōu)選的，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線的材料為銅、鋁、鉬、鉻、釹、鎳、錳、鈦中的一種或多種。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種上述顯示裝置的驅(qū)動方法，包括輪流進(jìn)行的顯示幀和復(fù)位幀；

在所述顯示幀，依次選通每行柵線，其中，在選通第1行至第n行柵線的過程中，數(shù)據(jù)線依次對各行像素輸入數(shù)據(jù)信號；

在所述復(fù)位幀，依次選通相鄰的每兩行柵線，且數(shù)據(jù)線輸入大小等于公共電壓的數(shù)據(jù)信號。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點：在一個像素中設(shè)置有第一像素電極和第二像素電極，當(dāng)與該像素對應(yīng)的柵線選通時，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管導(dǎo)通，此時數(shù)據(jù)線向第一像素電極和第二像素電極充入一定大小的數(shù)據(jù)信號。當(dāng)下一行柵線選通時，第三薄膜晶體管導(dǎo)通，使第二像素電極與存儲電極導(dǎo)通，此時第二像素電極上的電荷會有一部分轉(zhuǎn)移到存儲電極上，使第一像素電極和第二像素電極上的電壓不等，從而在一個像素內(nèi)形成兩種大小不等的電場。因此，在這兩種大小不等的電場的驅(qū)動下，像素中的液晶分子也會呈現(xiàn)出兩種不同的偏轉(zhuǎn)角度，從而增大了ADS型液晶顯示器的視角寬度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為本發(fā)明的實施例所提供的陣列基板中的像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中沿A-A線的剖面示意圖；

圖3為圖1中像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；

圖4為本發(fā)明的實施例所提供的顯示裝置的驅(qū)動方法的信號時序圖。

具體實施方式