[發明專利]一種提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法

在審

• 申請號: 201310577121.8
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN104656191A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 龍婭;王巍;單聯潔;高峰;馬玉洲;楊慧慧;張振華;田凌菲
• 申請（專利權）人: 北京航天時代光電科技有限公司
• 主分類號: G02B6/255
• 分類號: G02B6/255;G02B6/245;G02B6/25;G02B6/24
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于，實現步驟如下：

第一步，以熱剝離的方式剝離光纖A（1）、光纖B（2）外部的涂覆層；加熱溫度控制在110℃-130℃，加熱時間為6s-8s，剝離刀具的刀口間隙大于光纖直徑6um-10um；

第二步，超聲波清洗剝離后的裸光纖A（1）、光纖B（2）；清洗溶劑為純度高于99.9%的乙醇或丙酮，超聲波頻率為40KHz-60KHz，超聲波功率為6W-10W，清洗時間6s-12s，清洗時未剝除的光纖涂覆層進入液面下1mm-3mm；

第三步，切割清潔后的裸光纖A（1）、光纖B（2）端面，切割的角度不大于1.5°；

第四步，將切割后的光纖A（1）、光纖B（2）裝入光纖熔接機上使兩根光纖熔接在一起，形成光纖熔接點（3）；

第五步，在光纖熔接完成后10min以內，以熔接點（3）為中心1mm-3mm內的區域來回掃描式再加熱熔接熱影響區（4）的光纖段，來回掃描式加熱的速度控制在0.5mm/s-2mm/s，再加熱溫度應略高于光纖包層材料的最低軟化溫度，同時低于光纖熔接溫度，再加熱時間為1s-4s。

2.根據權利要求1所述的提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于：光纖A（1）、光纖B（2）為同種或異種光纖，其主要材料為石英的普通單模光纖、普通多模光纖、PANDA型保偏光纖、BOWTIE型保偏光纖、TIGER型保偏光纖或一字型保偏光纖。

3.根據權利要求1所述的提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于：光纖A（1）、光纖B（2）為不摻稀土元素的光纖。

4.根據權利要求1所述的提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于：光纖的包層直徑是Φ125μm、Φ80μm、Φ60μm或Φ40μm。

5.根據權利要求1所述的提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于：光纖的標稱工作波長是850nm、980nm、1310nm、1480nm或1550nm。

6.根據權利要求1所述的提高熔接后光纖抗拉強度的工藝方法，其特征在于：再加熱方法為尖端脈沖放電加熱、電熱源加熱或火源加熱。