[發明專利]輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法無效
| 申請號： | 201310575492.2 | 申請日： | 2013-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN103665414A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 彭朝榮;王靜霞;陳浩;陳竹平;倪茂君;陳嶼恒;包雯婷;劉思陽;黃科;趙星;郭丹 | 申請（專利權）人： | 四川省原子能研究院 |
| 主分類號： | C08J7/18 | 分類號： | C08J7/18;C08L67/04;C08L75/04;C08L69/00;C08L29/04;C08K3/08;B22F9/24 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 趙麗 |
| 地址： | 610101 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 輻照 法制 納米 ag 聚合物 抗菌 方法 | ||
1.輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法，其特征在于包括以下步驟：
A、將乙醇、甲醇、水、丙酮其中一種或任意兩種的混合物，與N-乙烯基吡咯烷酮單體以1:2～1:10的體積比進行混合，得混合液；
B、于步驟A的混合液中加入0.01～1mol/L的AgNO3水溶液，攪拌混合均勻，得混合溶液，混合溶液中AgNO3的含量控制在0.07g～6.8g/mL；
C、將聚合物膜放入步驟B的混合溶液中，抽真空、充氮氣反復操作5次，密封反應容器，以60Co-γ射線或電子束輻照，輻照劑量為1kGy-30kGy；
D、取出聚合物膜，蒸餾水反復沖洗，經真空37℃干燥，得到納米Ag/聚合物抗菌膜。
2.根據權利要求1所述的輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法，其特征在于：步驟A中所述任意兩種混合物的體積比為1:1～1:10。
3.根據權利要求1所述的輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法，其特征在于：步驟D中所述聚合物膜選自聚乳酸PLA膜、聚氨酯PU膜、聚乳酸-羥基乙酸共聚物PLGA膜、聚己內酯PCL膜、聚羥基脂肪酸酯PHA膜、聚碳酸酯PC膜或聚乙烯醇PVA膜。
4.根據權利要求1所述的輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法，其特征在于：步驟D中所述納米Ag的粒徑為30～80nm。
5.根據權利要求1所述的輻照法制備納米Ag/聚合物抗菌膜的方法，其特征在于：步驟D中所述納米Ag/聚合物抗菌膜的含銀量為0.2～10wt%。
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