[發明專利]阻變存儲器件和裝置及其制造方法、操作方法以及系統

有效

• 申請號: 201310575332.8
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN104240754B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 吳東嬿;任韻夏;金美那
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;H01L27/24
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種阻變存儲器件，包括：

數據儲存單元；

第一互連，所述第一互連與所述數據儲存單元連接；

第一訪問器件，所述第一訪問器件與所述數據儲存單元串聯連接；

第二訪問器件，所述第二訪問器件與所述第一訪問器件串聯連接；

第二互連，所述第二互連與所述第二訪問器件連接；

第三互連，所述第三互連與所述第一訪問器件連接以驅動所述第一訪問器件；以及

第四互連，所述第四互連與所述第二訪問器件連接以驅動所述第二訪問器件，

其中，所述數據儲存單元、所述第一訪問器件以及所述第二訪問器件被形成為單位存儲器單元。

2.如權利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述第一互連是位線，所述第二互連是源極線。

3.如權利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述第三互連是第一字線，所述第四互連是第二字線。

4.如權利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述數據儲存單元包括相變材料、鈣鈦礦、或者過渡金屬氧化物。

5.如權利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述第一訪問器件和所述第二訪問器件包括NMOS晶體管。

6.如權利要求1所述的阻變存儲器件，其中，所述第一訪問器件和所述第二訪問器件包括PMOS晶體管。

7.一種阻變存儲裝置，包括：

阻變存儲器單元陣列，所述阻變存儲器單元陣列包括多個存儲器單元，每個存儲器單元包括：

數據儲存單元，所述數據儲存單元與位線連接，以及

第一訪問器件和第二訪問器件，所述第一訪問器件和所述第二訪問器件與所述數據儲存單元串聯連接，并且位于所述數據儲存單元與源極線之間，其中，所述第一訪問器件被配置成通過施加至第一字線的信號來驅動，所述第二訪問器件被配置成通過施加至第二字線的信號來驅動；

控制器，所述控制器被配置成控制對所述阻變存儲器單元陣列的選中的存儲器單元的寫入操作和讀取操作；以及

讀取/寫入控制電路，所述讀取/寫入控制電路被配置成響應于所述控制器而選擇所述阻變存儲器單元陣列中的至少一個存儲器單元，以及執行所述寫入操作或所述讀取操作，

其中，所述數據儲存單元、所述第一訪問器件以及所述第二訪問器件被形成為單位存儲器單元。

8.如權利要求7所述的阻變存儲裝置，其中，多個單位存儲器單元的第一訪問器件共同連接到所述第一字線，以及

其中，所述多個單位存儲器單元的第二訪問器件共同連接到所述第二字線。

9.如權利要求7所述的阻變存儲裝置，其中，所述數據儲存單元包括相變材料、鈣鈦礦、或者過渡金屬氧化物。

10.一種操作阻變存儲裝置的方法，所述阻變存儲裝置包括：阻變存儲器單元陣列，所述阻變存儲器單元陣列包括數據儲存單元以及第一訪問器件和第二訪問器件，所述數據儲存單元的一個端部與位線連接，所述第一訪問器件和所述第二訪問器件串聯連接在所述數據儲存單元的另一個端部與源極線之間、并且被配置成根據施加至第一字線和第二字線的信號來驅動,所述數據儲存單元、第一訪問器件以及第二訪問器件形成為單位存儲器單元；以及控制器，所述控制器被配置成控制對所述阻變存儲器單元陣列之中的選中的存儲器單元的寫入操作和讀取操作，所述方法包括以下步驟：

將具有第一電平的電壓供應至所述位線、所述源極線、所述第一字線以及所述第二字線；

將電平比所述第一電平高的第一電源電壓供應至所述第一字線；

將電平比所述第一電平低的電壓供應至所述第二字線；

將電平比所述第一電源電壓高的第二電源電壓供應至選中的位線；

將具有所述第一電平的電壓供應至選中的源極線；以及

通過將具有所述第一電平的電壓供應至未選中的位線、以及將具有比所述第一電源電壓低且比所述第一電平高的第二電平的電壓供應至未選中的源極線，來訪問選中的存儲器單元。