[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310575107.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103579257A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李琳;郝昭慧;蔡振飛
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示裝置，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

顯示裝置如液晶顯示器以及LED顯示器都包括陣列基板。陣列基板上設(shè)有柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)以及修復(fù)線(xiàn)；通常一條柵線(xiàn)用以開(kāi)啟一行像素，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)用以逐個(gè)掃描每一像素以提供電壓，從而實(shí)現(xiàn)每一個(gè)像素獨(dú)立控制的顯示。所述陣列基板包括顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域，所述柵線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn)均在顯示區(qū)域以及非顯示區(qū)域都有。所述修復(fù)線(xiàn)設(shè)計(jì)在陣列基板的非顯示區(qū)域內(nèi)，當(dāng)出現(xiàn)數(shù)據(jù)線(xiàn)斷開(kāi)用于數(shù)據(jù)線(xiàn)的修復(fù)。具體的修復(fù)方式為：以數(shù)據(jù)線(xiàn)的斷點(diǎn)為分割點(diǎn)；數(shù)據(jù)線(xiàn)的前半段依然由數(shù)據(jù)線(xiàn)從上往下灌電壓，數(shù)據(jù)線(xiàn)的后半段由修復(fù)線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)導(dǎo)通，驅(qū)動(dòng)電路從修復(fù)線(xiàn)由下往上將電壓灌入數(shù)據(jù)線(xiàn)中，從而避免出現(xiàn)顯示的暗線(xiàn)導(dǎo)致顯示不良。

但是通常出于縮小非顯示區(qū)域的面積以及制作工藝的簡(jiǎn)化，所述修復(fù)線(xiàn)的條數(shù)有限且通常為兩條。正常情況下，修復(fù)線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)相交處，通過(guò)絕緣層隔離；但在生產(chǎn)過(guò)程中伴隨著各種形式的靜電，很容易導(dǎo)致數(shù)據(jù)線(xiàn)與修復(fù)線(xiàn)之間的靜電擊穿，修復(fù)時(shí)通常在擊穿處將修復(fù)線(xiàn)隔斷，這樣修復(fù)線(xiàn)就不能再使用了。此外在生產(chǎn)過(guò)程中，還伴隨著其他修復(fù)線(xiàn)損壞的問(wèn)題，修復(fù)線(xiàn)本身?yè)p壞了就會(huì)影響其對(duì)數(shù)據(jù)線(xiàn)的修復(fù)。修復(fù)線(xiàn)本身壞了，當(dāng)數(shù)據(jù)線(xiàn)出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，就沒(méi)有辦法再次修復(fù)，從而導(dǎo)致報(bào)廢率高，生產(chǎn)成本低等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

（一）發(fā)明目的

針對(duì)上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種能緩解因修復(fù)的損壞導(dǎo)致的報(bào)廢率高的陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

（二）技術(shù)方案

為達(dá)上述目的，本發(fā)明陣列基板，包括第一修復(fù)線(xiàn)，還包括若干根用于修復(fù)所述第一修復(fù)線(xiàn)的第二修復(fù)線(xiàn)；所述第一修復(fù)線(xiàn)與所述第二修復(fù)線(xiàn)相交，且兩者之間設(shè)有絕緣層。

優(yōu)選地，所述第一修復(fù)線(xiàn)為若干根；每一根所述第二修復(fù)線(xiàn)，均與每一根所述第一修復(fù)線(xiàn)相交。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括若干根數(shù)據(jù)線(xiàn)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述第一修復(fù)線(xiàn)相交，且兩者之間設(shè)有絕緣層；

所述第二修復(fù)線(xiàn)的條數(shù)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的條數(shù)相等，且與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)交錯(cuò)分布。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括若干根數(shù)據(jù)線(xiàn)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述第一修復(fù)線(xiàn)相交，且兩者之間設(shè)有絕緣層；

所述第二修復(fù)線(xiàn)呈U字型，且所述數(shù)據(jù)線(xiàn)與所述第一修復(fù)線(xiàn)相交處位于所述U字型內(nèi)部。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括源極和漏極；所述第二修復(fù)線(xiàn)與所述源極和漏極構(gòu)成材質(zhì)相同。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括像素電極；所述第二修復(fù)線(xiàn)與所述像素電極構(gòu)成材質(zhì)相同。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明顯示裝置，，包括如上所述的陣列基板。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明陣列基板的制作方法，包括形成第一修復(fù)線(xiàn)的步驟，還包括形成若干根用以修復(fù)第一修復(fù)線(xiàn)的第二修復(fù)線(xiàn)的步驟以及形成第一修復(fù)線(xiàn)與第二修復(fù)線(xiàn)之間絕緣層的步驟；

其中，所述第一修復(fù)線(xiàn)與所述第二修復(fù)線(xiàn)相交。

進(jìn)一步地，還包括形成薄膜晶體管的源極和漏極的步驟；所述第二修復(fù)線(xiàn)與所述源極和漏極同步形成。

進(jìn)一步地，還包括形成像素電極的步驟；所述第二修復(fù)線(xiàn)與所述像素電極同步形成。

（三）本發(fā)明陣列基板及其制作方法、顯示裝置的有益效果

本發(fā)明陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過(guò)第二修復(fù)線(xiàn)的引入，可以用來(lái)修復(fù)第一修復(fù)線(xiàn)(在本發(fā)明中所述的第一修復(fù)線(xiàn)即為現(xiàn)有的用來(lái)修復(fù)數(shù)據(jù)線(xiàn)的修復(fù)線(xiàn))從而可以在第一修復(fù)線(xiàn)損壞時(shí)，對(duì)第一修復(fù)線(xiàn)進(jìn)行修復(fù)，從而減少了因數(shù)據(jù)線(xiàn)和第一修復(fù)線(xiàn)同時(shí)損壞，導(dǎo)致的報(bào)廢，從而降低了報(bào)廢率，從而有利于降低報(bào)廢率以及生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一所述的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一所述的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例二所述的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖以及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。

實(shí)施例一：

本實(shí)施例陣列基板，包括第一修復(fù)線(xiàn)，還包括若干根用于修復(fù)所述第一修復(fù)線(xiàn)的第二修復(fù)線(xiàn)；所述第一修復(fù)線(xiàn)與所述第二修復(fù)線(xiàn)相交，且兩者之間設(shè)有絕緣層。

第一修復(fù)線(xiàn)即認(rèn)為是現(xiàn)有的陣列基本中的修復(fù)線(xiàn)，所述第二修復(fù)線(xiàn)是用來(lái)修復(fù)第一修復(fù)線(xiàn)的，正常情況下互不導(dǎo)通，從而之間設(shè)有絕緣層，在第一修復(fù)線(xiàn)出現(xiàn)了斷點(diǎn)，可以采用相對(duì)應(yīng)處的第二修復(fù)線(xiàn)形成修復(fù)橋接；具體的可以通過(guò)鐳射擊穿第一修復(fù)線(xiàn)和第二修復(fù)線(xiàn)相交處的絕緣層，連接形成連接通路。