[發明專利]制備晶體硅太陽能電池氧化硅膜的方法

有效

• 申請號: 201310574354.2
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103594557A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 倪健雄;李高非;韓帥;蔣京娜
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種制備晶體硅太陽能電池氧化硅膜的方法，其特征在于，將硅片置于納米二氧化鈦水分散液中，采用紫外光照射所述硅片，然后將所述硅片取出、烘干。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述硅片置于所述納米二氧化鈦水分散液中之前，進一步包括所述硅片的清洗、制絨、擴散、去除磷硅玻璃、單邊刻蝕以及邊緣絕緣處理。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述納米二氧化鈦水分散液中納米二氧化鈦的平均粒徑為5nm～500nm。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述納米二氧化鈦為金紅石晶體、銳鈦礦晶體或板鈦礦晶體中的一種或多種。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述納米二氧化鈦水分散液為二氧化鈦質量比為0.5wt%～30wt%的水溶液。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶體硅太陽能電池為單晶硅太陽能電池、類單晶太陽能電池、多晶硅太陽能電池和/或基于晶體硅的異質結電池。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外光照射的強度為250～500μW/cm²。