[發(fā)明專利]一種低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310574330.7 | 申請日： | 2013-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN103588493A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王落霞;方義能;吳斌;高雄;趙飛 | 申請（專利權）人： | 浙江自立股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/66 | 分類號： | C04B35/66 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產(chǎn)權代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡紅娟 |
| 地址： | 312300 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
將低碳的鋁碳化硅碳磚的各原料混合后，經(jīng)模壓干燥而成；
所述低碳的鋁碳化硅碳磚的原料的重量份組成為：
其中，氧化鋁原料的粒度級配為：
所述氧化鋁原料中Al2O3的平均重量百分數(shù)為75～98%。
2.如權利要求1所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，所述低碳的鋁碳化硅碳磚的原料的重量份組成為：
3.如權利要求1或2所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，所述氧化鋁原料為葉臘石、焦寶石、莫來石、礬土、剛玉中的至少一種。
4.如權利要求1或2所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，所述抗氧化劑為鋁粉、硅粉、鎂粉、碳化硼中的至少一種。
5.如權利要求1或2所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，所述碳素原料為石墨、碳黑、瀝青中的至少一種。
6.如權利要求1或2所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，模壓的壓力為70～120MPa。
7.如權利要求6所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，干燥溫度為180～240℃。
8.如權利要求7所述的低碳的鋁碳化硅碳磚的制備方法，其特征在于，干燥時間為24～48h。
下載完整專利技術內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江自立股份有限公司，未經(jīng)浙江自立股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310574330.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：電動硬密封球閥
- 下一篇：雙金屬帶鋸條快速分級回火冷卻設備
