[發(fā)明專利]在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法、晶體硅電池的制備方法及晶體硅電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310573983.3 | 申請日： | 2013-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN103594556A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 英利集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 吳貴明;張永明 |
| 地址： | 071051 河*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基材 表面 形成 二氧化硅 薄膜 方法 晶體 電池 制備 | ||
1.一種在硅基材表面形成二氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括通過水蒸汽與所述硅基材表面的硅材料反應(yīng)形成所述二氧化硅薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述水蒸汽是由向所述硅基材表面通入的氧氣和氫氣反應(yīng)形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧氣和氫氣的摩爾比為2:1～1:3，優(yōu)選為1:2～1:3；更有選地，所述氧氣和氫氣的流量比為1:1～1:3。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氫氣通過保護氣體的攜帶通向所述硅基材表面，優(yōu)選地，所述氫氣與所述保護氣體的摩爾比為1:15～1:50，更優(yōu)選地，所述保護氣為氮氣或氬氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述水蒸汽與所述硅材料的反應(yīng)溫度為950～1000℃，反應(yīng)時間為10～20min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜的密度為2.15g/cm3～2.3g/cm3。
7.一種晶體硅電池的制備方法，包括在硅片表面形成二氧化硅薄膜的步驟，其特征在于，形成所述二氧化硅薄膜的步驟采用權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，還包括對所述硅片表面依次進行制絨、擴散以及濕法刻蝕的步驟，所述二氧化硅薄膜形成在完成所述濕法刻蝕后的硅片表面。
9.一種晶體硅電池，其特征在于，所述晶體硅電池由權(quán)利要求7或8所述的方法制備而成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體硅電池，其特征在于，所述晶體硅電池中硅片表面二氧化硅薄膜的厚度為5nm～20nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
