[發明專利]氫化非晶硅納米線陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201310573301.9
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103560180A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 王相虎
• 申請（專利權）人: 上海電機學院
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于包括：

氫化非晶硅薄膜制備步驟，用于在玻璃襯底上制備氫化非晶硅薄膜；

氫化非晶硅納米線陣列制備步驟，用于利用化學腐蝕方法將氫化非晶硅薄膜制備成氫化非晶硅納米線陣列。

2.根據權利要求1所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，在氫化非晶硅薄膜制備步驟中，首先對玻璃襯底進行清洗；然后將清洗過的玻璃襯底放進磁控濺射設備中，并利用磁控濺射設備在玻璃襯底上面制備氫化非晶硅薄膜。

3.根據權利要求2所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，在利用磁控濺射設備在玻璃襯底上面制備氫化非晶硅薄膜時，采用直流濺射，靶材選用高純硅，濺射氣體為高純氬氣和氫氣的混合氣體。

4.根據權利要求3所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，氬氣和氫氣的流量比值的范圍在10:1～100:1之間；濺射時真空度在0.1Pa到5Pa之間，濺射功率在10到50W之間，生長溫度在100℃到700℃之間，薄膜厚度在0.5μm到20μm之間。

5.根據權利要求2所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，對玻璃襯底進行清洗的步驟為：第一步，在乙醇中利用超聲波對襯底進行處理；第二步，再在丙酮中利用超聲波對襯底進行處理；第三步，用熱鹽酸浸泡襯底。

6.根據權利要求1或2所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，在氫化非晶硅納米線陣列制備步驟中，首先利用耐強酸樹脂將未形成氫化非晶硅薄膜的襯底背面、以及氫化非晶硅薄膜周圍密封，僅裸露形成有氫化非晶硅薄膜的面，然后再將其浸入H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液中，再將其浸入HF溶液中去除表面氧化物；再將其浸入AgNO₃和HF混合的溶液，此后將其取出后用去離子水沖洗。

7.根據權利要求6所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于，體積比H₂SO₄:H₂O₂在1:1～6:1之間，HF溶液的濃度為2～10mol/L，AgNO₃和HF混合溶液中的AgNO₃的濃度為0.01mol/L～0.1mol/L、HF的濃度為1mol/L～10mol/L。

8.根據權利要求1或2所述的氫化非晶硅納米線陣列的制備方法，其特征在于還包括測試步驟，其中利用測試設備分別對氫化非晶硅納米線進行形貌、結構、光學性能測試。