[發明專利]一種硅穿孔的制造方法

有效

• 申請號: 201310573264.1
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN104637868B
• 公開（公告）日: 2018-06-19
• 發明（設計）人: 劉鵬
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種硅穿孔的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1，提供一半導體硅基片，該硅基片具有正面和背面；在所述硅基片的正面形成硅穿孔圖形；

步驟2，在所述硅穿孔的底部形成研磨異質；方法是：使用懸涂玻璃工藝，在所述硅基片表面和所述硅穿孔側壁以及底部形成氧化膜，所述硅穿孔底部的氧化膜厚度遠大于其他區域的氧化膜厚度；然后，采用各向同性的干法刻蝕或者濕法刻蝕工藝去除所述硅基片表面和所述硅穿孔側壁的氧化膜；

步驟3，對所述硅穿孔進行填充和平坦化；

步驟4，完成前道器件工藝和后道連線工藝，從所述硅基片的背面進行研削減薄工藝，減薄工藝接觸到研磨異質后停止或者過研磨一定量，過研磨需要保留部分研磨異質；

步驟5，去除研磨異質，調整硅穿孔突出或者凹陷的高度。

2.按權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述硅穿孔底部的氧化膜的厚度在0.1μm到2μm之間。

3.按權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，步驟2中，所述在硅穿孔的底部形成研磨異質的方法或者是：使用化學氣相沉積法在所述硅穿孔側壁和底部沉積一層氮化硅；然后使用各向異性的干法刻蝕打開所述硅穿孔底部的氮化硅；再使用熱氧化方法在硅穿孔底部生長熱氧化膜；再使用各向同性干法或濕法刻蝕去除所述硅穿孔側壁的氮化硅。

4.按權利要求3所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述氮化硅厚度為200～2000埃。

5.按權利要求3所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，所述熱氧化膜的厚度為1000～20000埃。