[發明專利]一種在導電基體材料上制備納米氮化鈦層的方法

有效

• 申請號: 201310572300.2
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103628032A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 高原;張焱;王成磊;吳煒欽;張光耀;韋文竹;陸小會
• 申請（專利權）人: 桂林電子科技大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/32;C23C14/06;C23C14/16;B82Y40/00
• 代理公司: 桂林市華杰專利商標事務所有限責任公司 45112
• 代理人: 羅玉榮

1.一種在導電基體材料上制備納米氮化鈦層的方法，其特征是：包括如下步驟：

（1）用導電材料作為被沉積基體材料，對其表面進行清潔處理，使其表面粗糙度達到Ra?<1?μm；

（2）用活化液、清洗液在超聲波儀器中依次清洗被沉積基體材料，時間不少于10～30分鐘；

（3）將被沉積基體材料置入離子鍍沉積設備中，抽真空到5×10^-4Pa～1×10^-3Pa，充入氬氣到0.5～1Pa，首先利用偏壓對被沉積基體材料表面進行清理，時間約20～40分鐘；并將被沉積基體材料升溫到200～300℃，其次利用磁控濺射沉積一層純金屬或合金作為過渡層，形成約0.1～0.5μm的過渡層；

（4）將過渡層進行電弧和磁控濺射的共同沉積，時間40～60分鐘，形成0.5～2μm的氮化鈦層；

（5）關閉電弧離子鍍電源，保持磁控電源參數不變，單獨用磁控濺射沉積，時間30～60分鐘，表面形成0.3～1μm的納米級氮化鈦沉積層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟(1)所述的導電材料為鐵碳合金、鎳基合金或有色金屬。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟(2)所述的過渡層為純鈦或純鎳或純銅或純鉬或純鉻；合金可以是鐵碳合金或鎢鉬合金或鎳鉻合金。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征是：步驟（3）和步驟（4）所述的磁控濺射電壓在-200～-600V,電流在2～10A，電弧離子鍍電流在60～100A；氬氮氣體比例為0.5:10之間，工作氣壓在0.5～2Pa。