[發明專利]器件處理方法

在審

• 申請號: 201310572265.4
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN104637805A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 趙圣哲
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種器件處理方法，其特征在于，包括：

通過切入式減薄工藝，對硅基片的背面進行減薄處理；

利用腐蝕液，對所述硅基片的背面進行腐蝕清洗處理，其中，所述腐蝕液中氫氟酸：硝酸：醋酸的體積比為（0.7～0.9）：（67.9～69.9）：31，所述腐蝕清洗處理的時長為預設的時長；

根據預設的背面工藝流程，形成位于所述硅基片的背面的表面內的背面結構和位于所述背面結構表面上的背面金屬。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蝕清洗處理的時長為100～120秒。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通過切入式減薄工藝，對硅基片的背面進行減薄處理之前，還包括：

根據預設的正面工藝流程，形成位于所述硅基片的正面的表面內和表面上的正面結構；

在所述正面結構的表面上形成保護膜。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據預設的背面工藝流程，在所述硅基片的背面的表面內的背面結構和位于所述背面結構表面上的背面金屬之后，還包括：

去除覆蓋在所述正面結構表面上的保護膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述保護膜為藍膜。