[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310572119.1
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103824886B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 佐藤貴洋;中澤安孝;長隆之;越岡俊介;德永肇;神長正美
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038
• 代理人: 陳華成

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

多層膜，其中層疊有氧化物半導(dǎo)體膜及氧化物膜；

柵電極；以及

柵極絕緣膜，

其中，所述多層膜隔著所述柵極絕緣膜與所述柵電極重疊，

所述多層膜具有如下形狀，所述形狀具有所述氧化物半導(dǎo)體膜的底面與所述氧化物半導(dǎo)體膜的側(cè)面所呈的第一角度、以及所述氧化物膜的底面與所述氧化物膜的側(cè)面所呈的第二角度，

所述第一角度為銳角且小于所述第二角度，

并且，所述第一角度及所述第二角度分別為10°以上且小于90°。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述氧化物膜的下端與所述氧化物半導(dǎo)體膜的上端之間的距離為30nm以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，在所述多層膜中，所述氧化物膜層疊在所述氧化物半導(dǎo)體膜上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述氧化物半導(dǎo)體膜層疊在所述氧化物膜上，

并且，第二氧化物膜層疊在所述氧化物半導(dǎo)體膜上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述氧化物半導(dǎo)體膜及所述氧化物膜各自都包含In-M-Zn氧化物，其中M為選自由Al、Ga、Ge、Y、Zr、La、Ce和Nd構(gòu)成的組中的一個，

并且，所述氧化物膜的In對M的原子個數(shù)比小于所述氧化物半導(dǎo)體膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述氧化物膜為非晶的，

所述氧化物半導(dǎo)體膜為結(jié)晶的，

并且，包括在所述氧化物半導(dǎo)體膜中的結(jié)晶部的c軸平行于所述氧化物半導(dǎo)體膜的表面的法向量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括接觸于所述多層膜的源電極及漏電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，低電阻區(qū)設(shè)置在如下區(qū)域，該區(qū)域處于所述多層膜中并且處于所述多層膜與所述源電極和所述漏電極中的一個之間的界面附近。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，還包括具有與所述氧化物膜相同或不同的組成的第二氧化物膜，其中所述第二氧化物膜設(shè)置在所述源電極的上表面、所述漏電極的上表面及所述多層膜的上表面上且與它們接觸。

10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

柵電極；

所述柵電極上的氧化物半導(dǎo)體膜；以及

所述氧化物半導(dǎo)體膜上的氧化物膜，

其中，所述氧化物膜包含In-Ga-Zn氧化物，

所述氧化物半導(dǎo)體膜的底面與所述氧化物半導(dǎo)體膜的側(cè)面所呈的第一角度小于所述氧化物膜的底面與所述氧化物膜的側(cè)面所呈的第二角度，

并且，所述第一角度為銳角。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述氧化物半導(dǎo)體膜包含In-Ga-Zn氧化物。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，

其中，所述氧化物半導(dǎo)體膜包含結(jié)晶，該結(jié)晶的c軸在垂直于所述氧化物半導(dǎo)體膜的上表面的方向上取向，

所述結(jié)晶中的一個的a軸的方向不同于所述結(jié)晶中的另一個的a軸的方向，

并且，所述結(jié)晶中的一個的b軸的方向不同于所述結(jié)晶中的另一個的b軸的方向。