[發明專利]使用經摻雜的凸起源極和漏極區的源極和漏極摻雜

有效

• 申請號: 201310572044.7
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103824777B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: J·亨治爾;S·弗萊克豪斯基;R·伊爾根
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

1.一種用于形成半導體結構的方法，包含：

提供半導體結構，該半導體結構包含半導體基底、位于該基底上的一層電絕緣材料、位于該電絕緣材料上的第一半導體特征以及位于該電絕緣材料上的第二半導體特征；

形成位于該第一半導體特征上的第一柵極結構和位于該第二半導體特征上的第二柵極結構，其中，該第一柵極結構與該第二柵極結構的每一個包含柵極電極、相鄰該柵極電極的側壁間隔件、介于該柵極電極與該側壁間隔件之間的襯里層；以及封裝件，該封裝件具有第一層、位于該第一層上的第二層、位于該第二層上的第三層及位于該第三層上的第四層，其中，該第一層與該第三層由第一材料所形成、該第二層與該第四層由第二材料所形成，且該第一材料與該第二材料相對彼此是選擇性蝕刻；

形成第一掩模，其中，該第一掩模覆蓋該第二柵極結構和該第二半導體特征，以及該第一掩模未覆蓋該第一柵極結構和該第一半導體特征；

沉積第一經原位摻雜的半導體材料于相鄰該第一柵極結構的該第一半導體特征上，該第一經原位摻雜的半導體材料包含第一摻質；

移除該第一掩模及該第一柵極結構與第二柵極結構的該封裝件的該第三層與第四層，其中該移除該第一掩模及該第一柵極結構與第二柵極結構的該封裝件的該第三層與第四層包括執行經適配相對于該第一與第二半導體特征以及該第一經原位摻雜的半導體材料的一或多個材料以選擇性地移除該第一掩膜的材料及該封裝件的該第四層的材料的第一蝕刻制程；

形成第二掩模，其中，該第二掩模覆蓋該第一柵極結構和該第一半導體特征，以及該第二掩模未覆蓋該第二柵極結構和該第二半導體特征；

沉積第二經原位摻雜的半導體材料于相鄰該第二柵極結構的該第二半導體特征上，該第二經原位摻雜的半導體材料包含不同于該第一摻質的第二摻質；

移除該第二掩模及該第一柵極結構與第二柵極結構的該封裝件的該第二層，其中該移除該第二掩模及該第一柵極結構與第二柵極結構的該封裝件的該第二層包括執行經適配相對于該第一與第二半導體特征以及該第一及第二經原位摻雜的半導體材料的一或多個材料以選擇性地移除該第二掩膜的材料及該封裝件的該第二層的材料的第二蝕刻制程；以及

進行退火制程，其中，該第一摻質的一部位從該第一經原位摻雜的半導體材料擴散到該第一半導體特征相鄰該第一柵極結構的所述部位內以形成第一源極與漏極區，以及該第二摻質的一部位從該第二經原位摻雜的半導體材料擴散到該第二半導體特征相鄰該第二柵極結構的所述部位內以形成第二源極與漏極區，其中，該第一源極與漏極區向下延伸到該第一柵極結構且對準該襯里層，以及該第二源極與漏極區向下延伸到該第二柵極結構且對準該襯里層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一摻質與該第二摻質的其中之一摻質為p型摻質，而該第一摻質與該第二摻質的其中另一摻質為n型摻質。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，該第一與該第二掩模各為包含氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅的至少其一的硬罩。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，選擇該第一與第二材料，以至于該第一與該第二柵極結構在沉積該第一經原位摻雜的半導體材料及沉積該第二經原位摻雜的半導體材料期間所曝露的部位包含氮化硅、氮氧化硅和二氧化硅的至少其一。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，沉積該第一經原位摻雜的半導體材料和沉積該第二經原位摻雜的半導體材料各包含進行選擇性生長制程，其中，所述硬罩的所述材料以及所述柵極結構的所述曝露部位上實質無經原位摻雜的半導體材料沉積。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一與該第二經原位摻雜的半導體材料包含不同的半導體材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一半導體特征包含半導體層的第一部位，以及該第二半導體特征包含半導體層的第二部位。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，該第一半導體特征包含從該第一柵極結構的源極側部延伸到該第一柵極結構的漏極側部的一或多條第一細長型半導體線，該第一柵極結構的該漏極側部與該第一柵極結構的該源極側部相對，以及該第二半導體特征包含從該第二柵極結構的源極側部延伸到該第二柵極結構的漏極側部的一或多條第二細長型半導體線，該第二柵極結構的該漏極側部與該第二柵極結構的該源極側部相對。