[發明專利]一種微流控芯片及其制作方法有效
| 申請號: | 201310571537.9 | 申請日: | 2013-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103586093A | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 梁福鵬;陸祖宏;封海清;涂景 | 申請(專利權)人: | 東南大學 |
| 主分類號: | B01L3/00 | 分類號: | B01L3/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 張學彪 |
| 地址: | 210096*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微流控 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一種微流控芯片,其特征在于,包括基片(1)、包裹層(8)、隔離層(11;12)和流道(17;20),所述基片(1)上設置有犧牲層(13),所述犧牲層(13)上設置有貫通所述犧牲層(13)并深入所述基片(1)內部的溝道(4;7),所述犧牲層(13)上覆蓋所述包裹層(8),所述溝道(4;7)內設置有所述隔離層(11;12),所述隔離層(11;12)將所述犧牲層(13)劃分成不同的區域,所述基片(1)和/或包裹層(8)上設置有連通外界和所述犧牲層(13)的通道(9;10),所述犧牲層(13)被腐蝕、被溶解或在熔化的狀態下被去除后得到所述流道(17;20)。
2.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,還包括功能結構,所述隔離層(11;12)包圍的一部分未被腐蝕、未被溶解和在熔化的狀態下未被去除的所述犧牲層(13)形成功能結構。
3.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,還包括支撐結構,所述隔離層(11;12)包圍的一部分未被腐蝕、未被溶解和在熔化的狀態下未被去除的所述犧牲層(13)為支撐結構。
4.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述犧牲層(13)為導電材料或可溶性材料。
5.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述犧牲層(13)通過鍍膜或旋轉涂敷的方式設置在所述基片(1)上。
6.如權利要求5所述的微流控芯片,其特征在于,所述犧牲層(13)通過多次鍍膜或旋轉涂覆的方式生成。
7.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述溝道(4;7)通過刻蝕或雕刻的方式生成。
8.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述包裹層(8)和隔離層(11;12)均為可被固化的樹脂、塑料或橡膠,所述包裹層(8)和隔離層(11;12)分別通過將液態樹脂、液態塑料或液態橡膠覆蓋在所述犧牲層(13)上和滲入所述溝道(4;7)中固化以后得到。
9.如權利要求1所述的微流控芯片,其特征在于,所述犧牲層(13)為金屬材料,腐蝕所述犧牲層(13)采用電化學腐蝕方法。
10.如權利要求1-9任一項所述的微流控芯片的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)、在基片(1)上生成犧牲層(13),在所述犧牲層(13)上生成貫通所述犧牲層(13)并深入所述基片(1)內部的溝道(4;7);
2)、在所述犧牲層(13)和溝道(4;7)上覆蓋可被固化的液態樹脂、液態塑料或液態橡膠,液態樹脂、液態塑料或液態橡膠覆蓋所述犧牲層(13)并滲入所述溝道(4;7);
3)、對步驟2)的液態樹脂、液態塑料或液態橡膠進行固化,覆蓋所述犧牲層(13)的樹脂、塑料或橡膠形成包裹層(8),滲入所述溝道(4;7)的樹脂、塑料或橡膠形成隔離層(11;12),得到表面覆蓋有犧牲層(13)和包裹層(8)的基片(1);
4)、在所述基片(1)和/或包裹層(8)上生成連通外界和所述犧牲層(13)的通道(9;10);
5)、將表面覆蓋有犧牲層(13)和包裹層(8)的基片(1)浸泡到腐蝕介質、溶解介質或電解液中,通過腐蝕介質腐蝕掉能夠接觸到的犧牲層(13)、通過溶解介質溶解掉能夠接觸到的犧牲層(13)或通過電化學腐蝕方法腐蝕掉犧牲層(13),腐蝕或溶解掉的犧牲層(13)形成流道(17;20),清洗后,得到本發明的微流控芯片;或者將表面覆蓋有犧牲層(13)和包裹層(8)的基片(1)放置于熔化犧牲層(13)材料的相變條件下,當犧牲層(13)被熔化后,通過通道(9;10)引入外界的壓力以及液體或氣體,將犧牲層(13)除去后形成流道(17;20),清洗后,得到本發明的微流控芯片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東南大學,未經東南大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310571537.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:多通道移液器
- 下一篇:一種具有改良柵結構的晶體管





