[發明專利]濺鍍靶、透明導電膜及其制造方法，以及觸控面板

在審

• 申請號: 201310571124.0
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN104630723A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 戈卡爾普·貝拉默戈魯;朱浚斈;楊貴寶;王燕儒
• 申請（專利權）人: 宸鴻科技（廈門）有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58;H01B5/14
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• 代理人: 暫無信息

1.一種濺鍍靶，其特征在于，為摻雜雜原子之氧化鋅鋁所成的濺鍍靶，其中所述雜原子為第2族元素、第5族元素、第10族元素或上述之組合，且所述雜原子之摻雜比例為0.5重量%至20重量%。

2.根據權利要求1所述之濺鍍靶，其特征在于，所述雜原子為鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、釩、鈮、鉭、鎳、鈀、鉑或上述之組合。

3.一種透明導電膜，其特征在于，為使用根據權利要求1或2所述之濺鍍靶所制得者。

4.根據權利要求3所述之透明導電膜，其特征在于，所述透明導電膜的厚度為50nm至2000nm。

5.根據權利要求3所述之透明導電膜，其特征在于，所述透明導電膜之透光率大于80％。

6.根據權利要求3所述之透明導電膜，其特征在于，所述透明導電膜在-30℃至70℃的溫度區間內之平均電阻溫度系數的絕對值為0.5%/K至3%/K。

7.根據權利要求3所述之透明導電膜，其特征在于，所述透明導電膜在20℃至40℃的電阻變化速率大于5％/秒。

8.一種透明導電膜的制造方法，其特征在于，使用根據權利要求1或2所述之濺鍍靶，并在一基板上沉積形成薄膜。

9.根據權利要求8所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，還包括升溫該基板至20℃至400℃。

10.根據權利要求8所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，所述沉積步驟是在真空度小于10-2帕下進行。

11.根據權利要求8所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，還包含一退火步驟。

12.根據權利要求11所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，所述退火步驟之溫度為300℃至600℃。

13.根據權利要求11所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，所述退火步驟之退火時間為30分鐘至5小時。

14.根據權利要求8所述之透明導電膜的制造方法，其特征在于，還包含一淬火步驟。

15.一種觸控面板，其特征在于，包括：

一基板；

一感測層，為使用根據權利要求1或2所述之濺鍍靶沉積于該基板上并經蝕刻所制得者；以及

復數條導線，設于所述基板上，且電性連接所述感測層。

16.根據權利要求15所述之觸控面板，其特征在于，更包括一保護層，設于所述感測層上。

17.根據權利要求15所述之觸控面板，其特征在于，所述基板為剛性基板或可撓式基板。

18.根據權利要求15所述之觸控面板，其特征在于，所述感測層包括復數個彼此間隔排列的感測單元。

19.根據權利要求18所述之觸控面板，其特征在于，所述感測單元的形狀為菱形、正六邊形、正方形、圓形、矩形或上述之組合。

20.根據權利要求18所述之觸控面板，其特征在于，每一所述感測單元包括一第一端及一第二端，其中所述第一端及所述第二端分別與相對應的所述導線電性連接。