[發明專利]一種銻化鋅基熱電薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310568668.1
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103572243A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 范平;鄭壯豪;梁廣興;張東平;羅景庭
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: C23C14/46
• 分類號: C23C14/46;C23C14/58;C23C14/14
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種銻化鋅基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

采用離子束濺射沉積法首先在絕緣襯底上鍍制上一層Sb薄膜層，然后在Sb薄膜層上鍍制一層Zn薄膜層，再在Zn薄膜層上鍍制一層Sb薄膜層，鍍制完成后，在具有惰性氣體的氣氛條件下，進行高溫原位熱處理制備得到銻化鋅基熱電薄膜。

2.根據權利要求1所述的銻化鋅基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，在鍍制之前還包括步驟：

預先對絕緣襯底進行超聲波清洗，并采用離子源對絕緣襯底以及濺射靶材進行表面預處理。

3.根據權利要求2所述的銻化鋅基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，在鍍制之前還包括步驟：將Sb單質靶和Zn單質靶作為濺射靶材，分別固定在多工位離子束濺射系統的其中兩個轉靶架上待濺射。

4.根據權利要求2所述的銻化鋅基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，對絕緣襯底進行表面預處理時采用的離子源的等離子體能量低于0.8KeV，對濺射靶材進行表面預處理時采用的離子源的等離子體能量低于1KeV。

5.根據權利要求1所述的銻化鋅基熱電薄膜的制備方法，其特征在于，采用離子束濺射沉積法進行鍍制時的參數為等離子體能量為0.7?KeV~1KeV，加速極電壓為200V~300V，束流為1mA~50mA。

6.一種銻化鋅基熱電薄膜，其特征在于，采用如權利要求1至5任一所述的制備方法制成。