[發明專利]存儲器裝置機器操作方法有效
| 申請號: | 201310567981.3 | 申請日: | 2013-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN104102456B | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 張育銘;李永駿;盧星辰;李祥邦;王成淵;張原豪;郭大維 | 申請(專利權)人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06;G06F12/06;G06F13/16 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 裝置 機器 操作方法 | ||
技術領域
本發明是關于存儲器裝置機器操作方法。
背景技術
閃存為一種普遍使用的高容量、非易失性存儲器(non-volatile memory)。閃存可用以進行包括區塊擦除、字或字節編程、分頁編程、字或字節讀取及分頁讀取的操作。為了一區塊擦除的目的,存儲器的一區塊的大小可以由存儲器陣列的組態所決定,且譬如可能大于一分頁(page)。
很多閃存技術具有有限的持久性(endurance)。亦即,可靠地儲存數據的能力隨著編程及擦除周期(cycle)數增加超過安全極限而降低。
提供可增加區塊的利用,并減少這種型式的存儲器的區塊擦除次數(block-erase count)的區塊擦除管理方法是有需要的。
發明內容
一種針對包括有于一陣列中的存儲單元(memory cell)的可擦除區塊的存儲單元陣列的區塊擦除操作的方法是被描述。如以下所提出的,可維持此陣列的對應的可擦除區塊的多個子區塊的狀態數據。狀態數據表示子區塊目前是否可存取(例如,可利用來編程或讀取)以及子區塊是否失效(例如,不可利用來編程或讀取)。回應于一擦除一特定可擦除區塊的一選定子區塊的請求,此方法包括基于特定可擦除區塊的另一子區塊或其他子區塊的狀態數據,來更新選定子區塊的狀態數據。又,回應于一擦除一特定可擦除區塊的一選定子區塊中的數據的請求,如果特定可擦除區塊的其他子區塊是失效的,則可發出一擦除命令以擦除特定區塊,否則更新狀態數據以表示選定子區塊是失效的。
本發明的其他實施樣態及優點可在檢閱圖式、詳細說明以及隨附的權利要求范圍時獲得了解。
附圖說明
圖1為結合一閃存的一儲存系統的方塊圖。
圖2為一種用于區塊擦除管理的方法的流程圖。
圖3A-圖3F顯示譬如用于一區塊擦除管理系統的子區塊操作的狀態改變。
圖4為一種包括區塊擦除管理資源的計算機系統的方塊圖。
【符號說明】
100:數據處理系統
110:應用程序
120:磁盤文件系統
125:快閃轉換層
130:原生性文件系統
140:存儲器技術裝置檔案
150:存儲器/存儲器裝置
210、220、230、235、240:步驟
310、315、320、325、330、335:可擦除區塊
410:計算機系統
412:總線次系統
414:處理器次系統
416:網絡接口次系統
418:通訊網絡/計算機網絡
420:用戶接口輸出裝置
422:用戶接口輸入設備
424:儲存次系統
426:主機存儲器次系統
428:檔案儲存次系統
430:主要隨機存取存儲器(RAM)
431:閃存
432:只讀存儲器(ROM)
具體實施方式
以下將參考附圖提供本發明的多個實施例的詳細說明。
圖1為結合一存儲器(例如一高容量3D NAND閃存150)的一數據處理系統100的功能層的方塊圖。存儲器可以是其他種類的NAND閃存、NOR閃存,且在所顯示的例子中,或者是具有可擦除區塊的任何適當的存儲器裝置。存儲器實體上可被設計成為多個區段(sector),以使每個實體區段成為一個用于被存儲器所支持的區塊擦除操作的最小單元。存儲器的一可擦除區塊可譬如對應至一個或多個實體區段。舉例而言,存儲器的每個實體區段的大小可以是16KB。存儲器150的一可擦除區塊可包括一個實體區段并具有與實體區段相同的16KB大小。存儲器的一可擦除區塊可包括4個實體區段并具有64KB的大小。存儲器的一可擦除區塊可包括8個實體區段并具有128KB的大小。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于旺宏電子股份有限公司,未經旺宏電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310567981.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





