[發明專利]點狀高電流離子注入機無效
| 申請號： | 201310567551.1 | 申請日： | 2013-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103594312A | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 邱裕明;肖天金 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/317 | 分類號： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 點狀高 電流 離子 注入 | ||
【權利要求書】：
1.一種點狀高電流離子注入機，包括并排設置的工藝腔、傳送腔以及裝載站，所述工藝腔內包括用于固定硅片的靜電吸盤，所述傳送腔內包括依次連接的第一傳送站、理片器以及第二傳送站，所述第一傳送站還與裝載站相互連接，所述靜電吸盤連接至第一傳送站，其特征在于，該點狀高電流離子注入機還包括冷卻站，所述第二傳送站連接至所述冷卻站，所述冷卻站連接至所述靜電吸盤。
2.如權利要求1所述的點狀高電流離子注入機，其特征在于：所述冷卻站設置于工藝腔內。
3.如權利要求2所述的點狀高電流離子注入機，其特征在于：所述靜電吸盤使用冷卻液循環系統，且冷卻站與靜電吸盤使用同一套冷卻液循環系統。
4.如權利要求3所述的點狀高電流離子注入機，其特征在于：所述冷卻液循環系統使得冷卻液的溫度低于零下50攝氏度。
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