[發明專利]一種半導體器件的制作方法

有效

• 申請號: 201310567441.5
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104637782B
• 公開（公告）日: 2018-08-14
• 發明（設計）人: 夏禹;劉麗麗;徐杰
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制作方法，包括：

提供一晶圓，所述晶圓上形成有零層標記，所述晶圓至少有部分區域的硅暴露出來；

對所述晶圓執行離子注入工藝；以及

對所述晶圓進行熱處理工藝，所述熱處理工藝采用的氣體包括氮氣和氧氣，所述氧氣的流量是0.1L/min～0.5L/min，從而在晶圓表面形成一氧化層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述氧氣的流量是0.2L/min～0.3L/min。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述氮氣的流量是8～12L/min。

4.如權利要求2所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述熱處理溫度是1000～1150攝氏度。

5.如權利要求3所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述熱處理時間是40～75分鐘。

6.如權利要求1至5中任意一項所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述離子注入工藝注入的雜質為磷離子。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述零層標記利用如下步驟形成：

在硅襯底上形成初始氧化層；以及

刻蝕所述初始氧化層和部分厚度的硅襯底，從而形成零層標記。

8.如權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，利用干法刻蝕工藝刻蝕所述初始氧化層和部分厚度的硅襯底。