[發明專利]用于I/O接口的兩級升壓轉換電路在審
| 申請號： | 201310567420.3 | 申請日： | 2013-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN104638919A | 公開（公告）日： | 2015-05-20 |
| 發明（設計）人： | 杭金華;王俊;郭之光;馬瑩;程惠娟;倪昊 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/157 | 分類號： | H02M3/157 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 接口 兩級 升壓 轉換 電路 | ||
1.一種用于I/O接口的兩級升壓轉換電路，包括：
第一級升壓轉換器，所述第一級升壓轉換器位于一中間電源和一電源地之間，且所述第一級升壓轉換器根據接收到的一低電源信號輸出所述中間電源；
第二級升壓轉換器，所述第二級升壓轉換器位于一高壓電源和所述電源地之間，且所述第二級升壓轉換器根據接收到的所述中間電源輸出所述高壓電源；
其中，所述低電源信號遠低于所述高壓電源，所述中間電源位于所述低電源信號和高壓電源之間，所述低電源信號在所述電源地和中間電源之間的電壓擺動。
2.如權利要求1所述的用于I/O接口的兩級升壓轉換電路，其特征在于，所述第一級升壓轉換器包括：
低壓CMOS反相器、第一中間電源NMOS晶體管和第二中間電源NMOS晶體管、以及第一中間電源PMOS晶體管和第二中間電源PMOS晶體管；
所述第一中間電源NMOS晶體管的漏極和第一中間電源PMOS晶體管的漏極相連接至第二中間電源PMOS晶體管的柵極，所述第一中間電源NMOS晶體管的柵極和低壓CMOS反相器的正極相連接至用于接入所述低電源信號的輸入端，所述第二中間電源NMOS晶體管的漏極和第二中間電源PMOS晶體管的漏極相連接至第一中間電源PMOS晶體管的柵極且作為用于輸出所述中間電源的第一級輸出端，所述第二中間電源NMOS晶體管的柵極和低壓CMOS反相器的負極相連接，所述第一中間電源NMOS晶體管的源極和第二中間電源NMOS晶體管的源極相連至所述電源地，所述第一中間電源PMOS晶體管的源極和第二中間電源PMOS晶體管的源極相連接并與所述中間電源相連。
3.如權利要求2所述的用于I/O接口的兩級升壓轉換電路，其特征在于，所述第二級升壓轉換器包括：
中間電源CMOS反相器、第一高壓NMOS晶體管和第二高壓NMOS晶體管、以及第一高壓PMOS晶體管和第二高壓PMOS晶體管；
所述第一高壓NMOS晶體管的漏極和第一高壓PMOS晶體管的漏極相連接至第二高壓PMOS晶體管的柵極，所述第一高壓NMOS晶體管的柵極和低壓CMOS反相器的正極相連接至所述第一級輸出端，所述第二高壓NMOS晶體管的漏極和第二高壓PMOS晶體管的漏極相連接至第一高壓PMOS晶體管的柵極且作為用于輸出所述高壓電源的第二級輸出端，所述第二高壓NMOS晶體管的柵極和低壓CMOS反相器的負極相連接，所述第一高壓NMOS晶體管的源極和第二高壓NMOS晶體管的源極相連至所述電源地，所述第一高壓PMOS晶體管的源極和第二高壓PMOS晶體管的源極相連接并與所述高壓電源相連。
4.如權利要求2所述的用于I/O接口的雙級升壓轉換電路，其特征在于，所述第一中間電源NMOS晶體管和第二中間電源NMOS晶體管均具有第一閾值電壓，所述第一閾值電壓低于所述低電源信號。
5.如權利要求2所述的用于I/O接口的雙級升壓轉換電路，其特征在于，所述第一中間電源PMOS晶體管和第二中間電源PMOS晶體管均具有第二閾值電壓，所述第二閾值電壓低于所述中間電源。
6.如權利要求3所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述第一高壓NMOS晶體管和第二高壓NMOS晶體管均具有第三閾值電壓，所述第三閾值電壓低于所述中間電源且高于所述低電源信號。
7.如權利要求3所述的用于I/O接口的降壓轉換電路，其特征在于，所述第一高壓PMOS晶體管和第二高壓PMOS晶體管均具有第四閾值電壓，所述第四閾值電壓低于所述高壓電源。
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